[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680053168.2
• 申請(qǐng)日: 2006-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101379623A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鍋倉(cāng)互;竹內(nèi)良一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種發(fā)光二極管，具有透明襯底和由化合物半導(dǎo)體制成的發(fā)光層，其中其上形成有第一電極和極性與所述第一電極不同的第二電極的光提取表面的面積(A)、形成為接近所述光提取表面的所述發(fā)光層的面積(B)、以及所述發(fā)光二極管的位于與用于形成所述第一電極和所述第二電極的一側(cè)相反的一側(cè)上的背面的面積(C)如此相關(guān)聯(lián)，以滿(mǎn)足式A>C>B的關(guān)系。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層具有分子式(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP的組分，其中0≤X≤1且0<Y≤1，并且所述透明襯底具有100W/m·k以上的傳熱系數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底的側(cè)面包括接近所述發(fā)光層的第一側(cè)面和接近所述透明襯底的背面的第二側(cè)面，并且其中所述第一側(cè)面的傾角小于所述第二側(cè)面的傾角。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)光二極管，其中所述第一側(cè)面垂直，而所述第二側(cè)面傾斜。

5.一種發(fā)光二極管，包括:化合物半導(dǎo)體層，具有發(fā)光部分，所述發(fā)光部分包含組分為分子式(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP的發(fā)光層，其中0≤X≤1且0<Y≤1；透明襯底，所述化合物半導(dǎo)體層接合到所述透明襯底；以及主光提取表面，其上形成有第一電極和極性與所述第一電極不同的第二電極，其中所述第二電極形成在暴露于與所述第一電極相對(duì)的一側(cè)的所述化合物半導(dǎo)體層上，并且所述透明襯底具有側(cè)面，所述側(cè)面包括在接近所述發(fā)光層的一側(cè)上的與所述發(fā)光層的發(fā)光表面大致垂直的第一側(cè)面和在遠(yuǎn)離所述發(fā)光層的一側(cè)上的相對(duì)于所述發(fā)光表面傾斜的第二側(cè)面。

6.一種發(fā)光二極管，包括:化合物半導(dǎo)體層，具有發(fā)光部分，所述發(fā)光部分包含組分為分子式(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP的發(fā)光層，其中0≤X≤1且0<Y≤1；透明襯底，所述化合物半導(dǎo)體層接合到所述透明襯底；以及主光提取表面，其上形成有第一電極和極性與所述第一電極不同的第二電極，其中所述第二電極形成在暴露于與所述第一電極相對(duì)的一側(cè)的所述化合物半導(dǎo)體層上的拐角位置，并且所述透明襯底具有側(cè)面，所述側(cè)面包括在接近所述發(fā)光層的一側(cè)上的與所述發(fā)光層的發(fā)光表面大致垂直的第一側(cè)面和在遠(yuǎn)離所述發(fā)光層的一側(cè)上的相對(duì)于所述發(fā)光表面傾斜的第二側(cè)面。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或4的發(fā)光二極管，其中所述第二側(cè)面的傾角為10度以上且30度以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或4的發(fā)光二極管，其中所述第二側(cè)面的傾角為10度以上且20度以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或6的發(fā)光二極管，其中在所述第二側(cè)面與平行于所述發(fā)光表面的表面之間形成范圍在55度～80度的角。

10.根據(jù)權(quán)利要求3或4的發(fā)光二極管，其中所述第一側(cè)面具有50μm以上且100μm以下的長(zhǎng)度，而所述第二側(cè)面具有100μm以上且250μm以下的長(zhǎng)度。

11.根據(jù)權(quán)利要求5或6的發(fā)光二極管，其中所述第一側(cè)面的長(zhǎng)度在30μm～100μm的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1、5或6的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底由磷化鎵(GaP)制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求5或6的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底實(shí)質(zhì)上是n型GaP單晶，并且具有(100)或(111)的表面取向。

14.根據(jù)權(quán)利要求5或6的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底的厚度在50μm～300μm的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求5或6的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底由碳化硅(SiC)制成。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底的背面是能夠散射光的粗糙化表面。

17.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底的背面上形成有金屬膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的發(fā)光二極管，其中所述透明襯底的所述背面上的所述金屬膜包含熔點(diǎn)為400℃以下的金屬。