[發明專利]基于氟的離子源清潔有效
| 申請號： | 200680053147.0 | 申請日： | 2006-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN101379583A | 公開（公告）日： | 2009-03-04 |
| 發明（設計）人： | 威廉·雷諾斯;克里斯托弗·雷格登;威廉·狄佛吉利歐;丹尼爾·堤格;辛·喬伊絲 | 申請（專利權）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號： | H01J37/08 | 分類號： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 離子源 清潔 | ||
【權利要求書】：
1.一種離子注入系統，包括：
離子源，包括內表面以及源孔徑，所述離子源能夠在操作狀態和清潔 狀態中工作；
沉積清潔系統，采用清潔材料，用于從離子源的表面和源孔徑清除沉 積，以及采用位于源孔徑的位置或接近源孔徑的位置的節流機構，用于將 清潔材料送回所述表面，并在清潔狀態期間減少通過源孔徑的清潔材料的 損失以能夠使用清潔材料的低流速；
束線組件，從離子源接收離子束，并對離子束加以處理；以及
終端站，接收來自束線組件的離子束。
2.根據權利要求1所述的系統，其中所述沉積清潔系統包括：
氟源，用于將氟供應至離子源；以及
控制器，用于控制從氟源到離子源的供應以及流速，并控制節流機構 的定位。
3.根據權利要求2所述的系統，其中所述節流機構包括節流構件， 所述節流構件包括彎曲的上半部分和下半部分，其中所述彎曲的上半部分 至少部分覆蓋所述源孔徑。
4.根據權利要求2所述的系統，其中所述節流機構包括可移動電極， 所述可移動電極包括節流區，其中，確定所述可移動電極的位置，使所述 節流區至少部分覆蓋所述源孔徑。
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