[發(fā)明專利]III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680052876.4
• 申請(qǐng)日: 2006-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101375416A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金昌臺(tái);鄭賢敏;全議圭;金賢錫;南起煉;崔炳均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾比維利股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 丁香蘭;譚輝

1.一種制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的襯底；在所述襯底的所述第一表面?zhèn)壬L(zhǎng)的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層，并且所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層包括具有第一電導(dǎo)率的第一氮化物半導(dǎo)體層、具有與所述第一電導(dǎo)率不相同的第二電導(dǎo)率的第二氮化物半導(dǎo)體層、和介于所述第一氮化物半導(dǎo)體層和所述第二氮化物半導(dǎo)體層之間的用于通過(guò)電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光的有源層；與所述第一氮化物半導(dǎo)體層電連接的第一電極；和與所述第二氮化物半導(dǎo)體層電連接的第二電極；

所述方法包括：

在所述襯底的所述第一表面上形成溝槽的第一步驟；

在其中形成有所述溝槽的所述襯底的所述第一表面?zhèn)壬仙L(zhǎng)所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層的第二步驟；

從所述襯底的所述第二表面?zhèn)炔糠忠瞥鲆r底從而使得所述第一電極能穿過(guò)所述溝槽與所述第一氮化物半導(dǎo)體層電連接的第三步驟；和

由所述襯底的所述第二表面?zhèn)刃纬伤龅谝浑姌O從而使得所述第一電極能穿過(guò)所述溝槽與所述第一氮化物半導(dǎo)體層電連接的第四步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一步驟中，所述溝槽形成為不穿透所述襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法在所述第四步驟之前進(jìn)一步包括由所述襯底的所述第一表面?zhèn)刃纬伤龅谝浑姌O的步驟。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述步驟進(jìn)一步包括在由所述襯底的所述第一表面?zhèn)刃纬伤龅谝浑姌O之前，由所述襯底的所述第一表面?zhèn)瓤涛g所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層以暴露所述第一氮化物半導(dǎo)體層的工序。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第四步驟中，所述第一電極作為反射膜形成在所述襯底的整個(gè)第二表面上。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第二步驟中，使所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層生長(zhǎng)而形成開(kāi)口，所述開(kāi)口形成在所述溝槽的上部。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述襯底是藍(lán)寶石襯底。

8.一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括：

具有第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面和由所述第一表面延伸至所述第二表面的溝槽的藍(lán)寶石襯底；

在所述藍(lán)寶石襯底的所述第一表面?zhèn)壬L(zhǎng)的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層，并且所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層包括具有第一電導(dǎo)率的第一氮化物半導(dǎo)體層、具有與所述第一電導(dǎo)率不相同的第二電導(dǎo)率的第二氮化物半導(dǎo)體層、和介于所述第一氮化物半導(dǎo)體層和所述第二氮化物半導(dǎo)體層之間的用于通過(guò)電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光的有源層，在所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層中形成與所述溝槽相通的開(kāi)口；

由所述藍(lán)寶石襯底的所述第二表面穿過(guò)所述溝槽電連接至所述第一氮化物半導(dǎo)體層的第一電極；和

與所述第二氮化物半導(dǎo)體層電連接的第二電極。

9.如權(quán)利要求8所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一氮化物半導(dǎo)體層在所述開(kāi)口中暴露，并且所述第一電極形成在所暴露的第一氮化物半導(dǎo)體層上。

10.如權(quán)利要求8所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電極作為反射膜形成在所述藍(lán)寶石襯底的整個(gè)第二表面上。

11.一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括：

其中形成有溝槽的襯底；

覆蓋所述襯底生長(zhǎng)的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層，并且所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層包括用于通過(guò)電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光的有源層；

沿著所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層在所述溝槽上形成的開(kāi)口；和

在所述開(kāi)口中的臺(tái)階。

12.如權(quán)利要求11所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括穿過(guò)所述溝槽與所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層電接觸的第一電極。

13.如權(quán)利要求12所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層包括通過(guò)刻蝕而暴露的氮化物半導(dǎo)體層，并且所述第一電極與所述暴露的氮化物半導(dǎo)體層電接觸。

14.如權(quán)利要求11所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述襯底包括沿所述溝槽形成的劃線。

15.如權(quán)利要求11所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述開(kāi)口形成在所述劃線上。