[發明專利]表面聲波壓力傳感器

無效

• 申請號: 200680052313.5
• 申請日: 2006-12-01
• 公開（公告）號: CN101336513A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: C·P·科比亞努;I·帕夫列斯庫;V·V·阿夫拉梅斯庫;J·D·庫克;L·J·麥克納利
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08;G01L9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 朱海煜;王忠忠

1.一種同時產生多個SAW傳感器的方法，所述方法包括以下步驟：

提供SAW晶片，所述SAW晶片包括設置于其上的多個SAW變換器；

提供覆蓋晶片；

在所述SAW晶片與所述覆蓋晶片之間提供防護壁；以及

將所述覆蓋晶片固定到所述SAW晶片，使得所述防護壁環繞所述多個SAW變換器。

2.如權利要求1所述的方法，其中提供防護壁的步驟包括提供設置在所述覆蓋晶片上的玻璃料防護壁。

3.如權利要求1所述的方法，還包括在所述SAW晶片與所述覆蓋晶片之間提供多個凸輪廓的步驟，使得在所述覆蓋晶片固定到所述SAW晶片時，所述多個凸輪廓中的至少一個環繞所述多個SAW變換器中的至少一個。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述防護壁限定所述SAW晶片與所述覆蓋晶片之間的間隔。

5.如權利要求1所述的方法，其中提供SAW晶片的所述步驟包括提供石英SAW晶片。

6.如權利要求1所述的方法，其中提供覆蓋晶片的所述步驟包括提供石英覆蓋晶片。

7.如權利要求1所述的方法，還包括圖案化所述SAW晶片的隨后步驟。

8.如權利要求7所述的方法，其中圖案化所述SAW晶片包括形成所述SAW晶片上的圖案化金屬層和所述覆蓋晶片上的防護金屬層。

9.如權利要求8所述的方法，其中圖案化所述SAW晶片的所述步驟包括蝕刻所述SAW晶片的背面，以從所述SAW晶片形成壓力感測隔膜。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述防護金屬層和所述玻璃壁在蝕刻期間保護所述SAW晶片和所述覆蓋晶片。

11.如權利要求9所述的方法，還包括隨后的劃片工藝。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述劃片工藝包括：進行通過所述覆蓋晶片而不切割所述SAW晶片的第一系列切割。

13.如權利要求12所述的方法，還包括進行通過所述覆蓋晶片而不切割所述SAW晶片的第二系列切割，所述第二系列切割平行于所述第一系列切割。

14.如權利要求13所述的方法，還包括進行通過所述覆蓋晶片和所述SAW晶片的第三系列切割，所述第三系列切割與所述第一系列切割和所述第二系列切割正交。

15.如權利要求14所述的方法，還包括進行通過所述覆蓋晶片和所述SAW晶片的第四系列切割，所述第四系列切割正交于所述第三系列切割。

16.如權利要求3所述的方法，其中提供覆蓋晶片的所述步驟包括在所述覆蓋晶片中提供壁槽的附加步驟，并且在所述覆蓋晶片上提供防護壁的所述步驟包括在所述壁槽中提供玻璃料。

17.如權利要求16所述的方法，其中提供覆蓋晶片的所述步驟另外包括在所述覆蓋晶片中提供多個輪廓槽，并且提供多個凸輪廓的所述步驟包括提供至少部分地設置在所述多個輪廓槽內的多個凸輪廓。

18.一種石英棧，包括：

石英SAW晶片，在所述石英SAW晶片表面上形成多個SAW變換器；

與所述石英SAW晶片相鄰設置的石英覆蓋晶片；

在所述石英SAW晶片和所述石英覆蓋晶片之間設置的玻璃料壁，所述玻璃料壁環繞所述多個SAW變換器；以及

在所述石英SAW晶片和所述石英覆蓋晶片之間設置的多個玻璃輪廓，所述多個玻璃輪廓中的至少一個環繞所述多個SAW變換器中的至少一個。

19.如權利要求18所述的石英棧，其中所述多個玻璃輪廓中的所述至少一個是矩形玻璃料輪廓。

20.如權利要求18所述的石英棧，其中所述玻璃料壁具有高度，并且所述高度限定了所述石英SAW晶片與所述石英覆蓋晶片之間的間距。

21.如權利要求18所述的石英棧，其中所述玻璃料壁具有高度，并且所述高度大于所述石英SAW晶片與所述石英覆蓋晶片之間的間距。

22.如權利要求18所述的石英棧，其中所述石英覆蓋晶片包括壁槽，并且所述玻璃料壁至少部分地設置在所述壁槽內。