[發明專利]反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200680052132.2
• 申請日: 2006-12-06
• 公開（公告）號: CN101336394A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 松尾正;金山浩一郎;田村信平
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: G03F1/16
• 分類號: G03F1/16;H01L21/027
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 馬少東

1.一種反射型光掩模基板，其特征在于，

包括：

襯底，

多層反射膜，其形成在該襯底上，用于反射曝光用光，

保護膜，其形成在該多層反射膜上，用于保護該多層反射膜，

吸收體層，其在該保護膜上吸收上述曝光用光，

緩沖膜，其形成在該吸收體層和上述保護膜之間，對于在形成上述吸收體層的曝光轉印圖案時所進行的蝕刻具有抗腐蝕性；其中

上述保護膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一種的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一種的單質或化合物。

2.根據權利要求1所述的反射型光掩模基板，其特征在于，

上述保護膜和上述緩沖膜形成為兼作該保護膜和該緩沖膜的單層的兼用膜，

該兼用膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一種的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一種的單質或化合物。

3.根據權利要求2所述的反射型光掩模基板，其特征在于，設置多層上述兼用膜。

4.根據權利要求2所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蝕刻上述吸收體層來形成曝光轉印圖案時，上述兼用膜的蝕刻速率為對上述吸收體層的蝕刻速率的1/20以下。

5.根據權利要求3所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蝕刻上述吸收體層來形成曝光轉印圖案時，多層上述兼用膜中的最上層的蝕刻速率為對上述吸收體層的蝕刻速率的1/20以下。

6.一種反射型光掩模基板，其特征在于，

包括：

襯底，

多層反射膜，其形成在該襯底上，用于反射曝光用光，

吸收體層，其形成在該多層反射膜的上方，用于吸收上述曝光用光，

單層的兼用膜，其形成在上述多層反射膜和上述吸收體層之間，用于保護上述多層反射膜，而且對于在形成上述吸收體層的曝光轉印圖案時所進行的蝕刻具有抗腐蝕性；其中

該兼用膜是含用Zr和Si的化合物，或是含用Zr和Si，以及O或N中的至少任意一種的化合物，或是含用Ru、C或Y中的至少任意一種的單質或化合物。

7.根據權利要求6所述的反射型光掩模基板，其特征在于，設置多層上述兼用膜。

8.根據權利要求6所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蝕刻上述吸收體層來形成曝光轉印圖案時，上述兼用膜的蝕刻速率為對上述吸收體層的蝕刻速率的1/20以下。

9.根據權利要求7所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蝕刻上述吸收體層來形成曝光轉印圖案時，多層上述兼用膜中的最上層的蝕刻速率為對上述吸收體層的蝕刻速率的1/20以下。

10.一種反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：襯底、用于反射曝光用光的多層反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收體層，其特征在于，

包括：

多層反射膜形成工序，在上述襯底上形成上述多層反射膜，

保護膜形成工序，在惰性氣體環境下，或在含有惰性氣體，和氧或氮中的至少任意一種的混合氣體環境下，進行以ZrSi合金、Ru或Y為靶材的濺射，或進行以含有C的化合物為原料氣體的CVD，以此在該多層反射膜上形成保護膜，

緩沖膜形成工序，在該保護膜上通過進行濺射來形成緩沖膜，其中，在上述濺射中，靶材的材質對于在形成上述吸收體層的曝光轉印圖案時所進行的蝕刻具有抗腐蝕性，

吸收體層形成工序，在該緩沖膜上形成上述吸收體層。

11.一種反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：襯底、用于反射曝光用光的多層反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收體層，其特征在于，

包括：

多層反射膜形成工序，在上述襯底上形成上述多層反射膜，

兼用膜形成工序，在惰性氣體環境下，或在含有惰性氣體，和氧或氮中的至少任意一種的混合氣體環境下，進行以ZrSi合金、Ru或Y為靶材的濺射，或進行以含有C的化合物為原料氣體的CVD，以此在該多層反射膜上形成兼用膜，

吸收體層形成工序，在該兼用膜上形成上述吸收體層。