[發明專利]間歇－連續蝕刻

有效

• 申請號: 200680052048.0
• 申請日: 2006-11-30
• 公開（公告）號: CN101336312A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 凱爾·S·勒布伊茨;大衛·L·斯伯英格爾
• 申請（專利權）人: 埃克提斯公司
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.一種經由蝕刻系統對樣品進行蝕刻的方法，所述蝕刻系統具有蝕刻氣體源、在其內對樣品進行蝕刻的主腔、第一膨脹腔、第二膨脹腔、以及用于將每個膨脹腔連接到所述主腔和所述蝕刻氣體源的器件，所述方法包括：

(a)控制用于連接的所述器件，以使所述第一膨脹腔充有適當量的、來自于所述蝕刻氣體源的蝕刻氣體，以維持恒定的蝕刻氣體流流向所述主腔，并且所述第一膨脹腔一旦充有所述適當量的蝕刻氣體，則與所述蝕刻氣體源隔斷；

(b)控制用于連接的所述器件，以將已充氣的所述第一膨脹腔連接到所述主腔，從而使所述第一膨脹腔中的蝕刻氣體的充氣流向所述主腔，以使所述第一膨脹腔內部的蝕刻氣體的壓力降低；

(c)當所述第一膨脹腔中的蝕刻氣體流向所述主腔時，控制用于連接的所述器件，從而使所述第二膨脹腔充有適當量的、來自于所述蝕刻氣體源的蝕刻氣體，以維持恒定的蝕刻氣體流流向所述主腔，并且所述第二膨脹腔一旦充有所述適當量的蝕刻氣體，則與所述蝕刻氣體源隔斷；

(d)在步驟(c)之后，控制用于連接的所述器件，從而在所述第一膨脹腔內的蝕刻氣體的壓力下降到低于足夠維持恒定的蝕刻氣體流流向所述主腔的水平之前，將所述第一膨脹腔與所述主腔隔斷，并且將所述第二膨脹腔與所述主腔連接；

(e)在步驟(d)之后，當所述第二膨脹腔中的蝕刻氣體流向所述主腔時，控制用于連接的所述器件，從而使所述第一膨脹腔充有適當量的、來自于所述蝕刻氣體源的蝕刻氣體，以維持恒定的蝕刻氣體流流向所述主腔，并且所述第一膨脹腔一旦充有所述適當量的蝕刻氣體，則與所述蝕刻氣體源隔斷；及

(f)在步驟(e)之后，控制用于連接的所述器件，從而在所述第二膨脹腔內的蝕刻氣體的壓力下降到低于足夠維持恒定的蝕刻氣體流流向所述主腔的水平之前，將所述第二膨脹腔與所述主腔隔斷，并且將所述第一膨脹腔與所述主腔連接。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括重復步驟(c)-(f)。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟(d)和(f)中，控制用于連接的所述器件，以將所述第一膨脹腔和第二膨脹腔同時連接到所述主腔。

4.根據權利要求3所述的方法，其中：

所述蝕刻系統包括防止器件，其用于在所述第一膨脹腔和第二膨脹腔同時連接到所述主腔時，防止蝕刻氣體從所述第一膨脹腔流向所述第二膨脹腔，及從所述第二膨脹腔流向所述第一膨脹腔；

在步驟(d)中，當所述第一膨脹腔和第二膨脹腔同時連接到所述主腔時，所述防止器件用于防止蝕刻氣體從所述第二膨脹腔流向所述第一膨脹腔；以及

在步驟(f)中，當所述第一膨脹腔和第二膨脹腔同時連接到所述主腔時，所述防止器件用于防止蝕刻氣體從所述第一膨脹腔流向所述第二膨脹腔。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，步驟(a)、步驟(c)和步驟(e)中的至少一個包括控制用于連接的所述器件，以使相應的膨脹腔充有來自于惰性氣體源的惰性氣體，所述惰性氣體源連接于用于連接的所述器件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中惰性氣體是氮、氦、氬、氙或者其一些組合。