[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200680051916.3
• 申請日: 2006-10-26
• 公開（公告）號: CN101336484A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 增田健良;松川真治
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

1.一種半導體器件(30)，包括

由碳化硅制成的半導體膜(11)，

其中所述半導體膜在其表面上具有刻面(1)，

其中所述刻面被用作溝道(16)，并且

其中，所述半導體膜(11)還包括其表面上的溝(25a，25b)，并且鄰近于所述溝形成所述刻面(1)。

2.根據權利要求1所述的半導體器件(30)，其中所述刻面(1)中的至少一個由{0001}面構成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件(30)，其中，所述半導體膜(11)具有4H-型晶體結構，所述刻面(1)中的至少一個由{03-38}面構成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件(30)，其中，所述半導體膜(11)具有6H-型晶體結構，所述刻面(1)中的至少一個由{01-14}面構成。

5.根據權利要求1所述的半導體器件(30)，其中所述溝道(16)被包括在構成所述刻面(1)的表面(3)中。

6.一種半導體器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半導體膜(11)的步驟；

在所述半導體膜的表面上提供有硅的狀態下熱處理該半導體膜的熱處理步驟；和

將通過所述熱處理步驟而在所述半導體膜的表面上獲得的刻面(1)形成為溝道(16)的溝道形成步驟，

其中，該制造方法還包括：

在所述熱處理步驟之前，在所述半導體膜(11)的表面上形成溝(25a，25b)的步驟，

其中，在所述熱處理步驟中，鄰近于所述溝形成所述刻面(1)。

7.根據權利要求6所述的半導體器件(30)的制造方法，還包括在所述熱處理步驟之前平坦化所述半導體膜(11)的表面的步驟。

8.一種半導體器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半導體膜(11)的步驟；

在所述半導體膜的表面上提供有硅的狀態下熱處理該半導體膜的熱處理步驟；和

將通過所述熱處理步驟而在所述半導體膜的表面上獲得的刻面(1)形成為溝道(16)的溝道形成步驟，

其中，所述熱處理步驟還包括在所述半導體膜(11)的表面上形成由硅作為主要構成元素而制成的覆蓋膜(20)的膜覆蓋步驟。

9.根據權利要求8所述的半導體器件(30)的制造方法，其中所述溝道形成步驟包括氧化所述覆蓋膜(20)的步驟。

10.根據權利要求8所述的半導體器件(30)的制造方法，還包括在所述熱處理步驟之前平坦化所述半導體膜(11)的表面的步驟。

11.一種半導體器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半導體膜(11)的步驟；

在所述半導體膜的表面上提供有硅的狀態下熱處理該半導體膜的熱處理步驟；和

將通過所述熱處理步驟而在所述半導體膜的表面上獲得的刻面(1)形成為溝道(16)的溝道形成步驟，

其中，該制造方法還包括：

將雜質注入到所述半導體膜(11)中的步驟；以及

激活該雜質的激活步驟，

其中所述熱處理步驟和所述激活步驟在同一步驟中執行。

12.根據權利要求11所述的半導體器件(30)的制造方法，還包括在所述熱處理步驟之前平坦化所述半導體膜(11)的表面的步驟。