[發明專利]電子元件、電流控制裝置、運算裝置及顯示裝置無效
| 申請號： | 200680051693.0 | 申請日： | 2006-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN101361191A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發明（設計）人： | 近藤浩 | 申請（專利權）人： | 株式會社理光 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/288;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子元件 電流 控制 裝置 運算 顯示裝置 | ||
1.一種電子元件，包括：
基板；
第一電極層，形成于所述基板的一部分上；
絕緣層，形成于所述第一電極層上；
導電層，形成于在形成所述第一電極層的區域上形成的所述絕緣層上；
第二電極層，形成于在所述基板上不形成所述第一電極層的區域上；
第三電極層，形成于在所述基板上既不形成所述第一電極層也不形成所述第二電極層的其余區域上；以及
半導體層，形成為覆蓋所述導電層和所述第二電極層之間并覆蓋所述導電層和所述第三電極層之間。
2.如權利要求1所述的電子元件，其中：
所述第二電極層、所述第三電極層和所述導電層是由相同材料制成。
3.如權利要求1所述的電子元件，其中：
所述半導體層、所述絕緣層、所述第一電極層、所述第二電極層、所述第三電極層和所述導電層的至少之一通過涂敷形成。
4.如權利要求1所述的電子元件，其中：
所述絕緣層通過浸漬方法形成。
5.如權利要求1所述的電子元件，其中：
所述絕緣層是由被施加能量時臨界表面張力變化的絕緣材料制成，以及
所述第二電極層、所述第三電極層和所述導電層的至少之一通過涂敷形成。
6.如權利要求1所述的電子元件，其中：
所述第二電極層、所述第三電極層和所述導電層的至少之一由多于一種材料制成，以及
多于一種材料的成份比例沿膜厚方向變化。
7.如權利要求6所述的電子元件，其中：
所述第二電極層、所述第三電極層和所述導電層的至少之一的表面被電解電鍍。
8.一種電流控制裝置，包括：
電子元件；以及
電流控制單元，所述電流控制單元使用第一電壓控制裝置和第二電壓控制裝置使得第二電極層和第三電極層之間的電流被控制，其中所述第一電壓控制裝置用于施加電壓到第一電極層，所述第二電壓控制裝置用于施加電壓到第二電極層和第三電極層，
其中所述電子元件包括：
基板；
第一電極層，形成于所述基板的一部分上；
絕緣層，形成于所述第一電極層上；
導電層，形成于在形成所述第一電極層的區域上形成的所述絕緣層上；
第二電極層，形成于在所述基板上不形成所述第一電極層的區域上；
第三電極層，形成于在所述基板上既不形成所述第一電極層也不形成所述第二電極層的其余區域上；以及
半導體層，形成為覆蓋所述導電層和所述第二電極層之間并覆蓋所述導電層和所述第三電極層之間。
9.如權利要求8所述的電流控制裝置，其中：
所述電流控制單元形成于所述基板上。
10.一種顯示裝置，用于依據在相對布置的兩個基板之一上形成的電極之間的電壓變化來進行顯示，所述顯示裝置包括：
用于像素切換的電流控制裝置，包括：
電子元件；以及
電流控制單元，所述電流控制單元使用第一電壓控制裝置和第二電壓控制裝置使得第二電極層和第三電極層之間的電流被控制，其中所述第一電壓控制裝置用于施加電壓到第一電極層，所述第二電壓控制裝置用于施加電壓到第二電極層和第三電極層，
其中所述電子元件包括：
基板；
第一電極層，形成于所述基板的一部分上；
絕緣層，形成于所述第一電極層上；
導電層，形成于在形成所述第一電極層的區域上形成的所述絕緣層上；
第二電極層，形成于在所述基板上不形成所述第一電極層的區域上；
第三電極層，形成于在所述基板上既不形成所述第一電極層也不形成所述第二電極層的其余區域上；以及
半導體層，形成為覆蓋所述導電層和所述第二電極層之間并覆蓋所述導電層和所述第三電極層之間。
11.一種顯示裝置，用于依據在相對布置的兩個基板之一上形成的電極之間的電流變化來進行顯示，所述顯示裝置包括：
用于像素切換或者像素驅動的電流控制裝置，包括：
電子元件；以及
電流控制單元，所述電流控制單元使用第一電壓控制裝置和第二電壓控制裝置使得第二電極層和第三電極層之間的電流被控制，其中所述第一電壓控制裝置用于施加電壓到第一電極層，所述第二電壓控制裝置用于施加電壓到第二電極層和第三電極層，
其中所述電子元件包括：
基板；
第一電極層，形成于所述基板的一部分上；
絕緣層，形成于所述第一電極層上；
導電層，形成于在形成所述第一電極層的區域上形成的所述絕緣層上；
第二電極層，形成于在所述基板上不形成所述第一電極層的區域上；
第三電極層，形成于在所述基板上既不形成所述第一電極層也不形成所述第二電極層的其余區域上；以及
半導體層，形成為覆蓋所述導電層和所述第二電極層之間并覆蓋所述導電層和所述第三電極層之間。
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