[發(fā)明專利]離子源、系統(tǒng)和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680051601.9
• 申請(qǐng)日: 2006-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN101366095A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 比利·W·沃德;約翰·A·諾特四世;路易斯·S·法卡斯三世;蘭德爾·G·珀西瓦爾;雷蒙德·希爾;亞歷山大·格羅霍爾斯基;理查德·科穆納爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阿利斯公司
• 主分類號(hào): H01J9/02
• 分類號(hào): H01J9/02;H01J37/08;H01J37/252;H01J37/305;H01J37/317;B81B1/00;G01N23/225;G12B21/02;H01J27/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種系統(tǒng)，包括：

氣體場離子源，包括具有從23°至45°的平均全錐角的導(dǎo)電尖端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述平均全錐角是40°或更小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述平均全錐角是從25°至35°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述平均全錐角是從28°至32°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是具有縱軸的線的尖端，垂直于所述線的縱軸的所述線的尺寸是3mm或更小。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的系統(tǒng)，其中所述垂直于線的縱軸的尺寸是0.2mm或更大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述平均全錐角的標(biāo)準(zhǔn)偏差是所述平均全錐角的30％或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，所述導(dǎo)電尖端具有10°或更小的平均錐方向。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述尖端包括在3°或更小內(nèi)與與所述導(dǎo)電尖端的縱軸對(duì)準(zhǔn)的單晶端層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端包括選自由鎢、碳、鉭、銥、錸、鈮、鉑和鉬的構(gòu)成的組的材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是鎢尖端。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是W(111)尖端。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括能夠在樣品上聚焦通過氣體與所述導(dǎo)電尖端的相互作用所產(chǎn)生的離子束的離子光學(xué)器件。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是氣體場離子顯微鏡。

15.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是氦離子顯微鏡。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是掃描離子顯微鏡。

17.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是掃描氦離子顯微鏡。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端具有200nm或更小的平均曲率半徑。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端具有180nm或更小的平均曲率半徑。

20.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端具有170nm或更小的平均曲率半徑。

21.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端具有40nm或更大的平均曲率半徑。

22.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端具有從40°或更小的平均全錐角。

23.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是具有縱軸的線的尖端，垂直于所述線的縱軸的所述線的尺寸是3mm或更小。

24.根據(jù)權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中所述垂直于線的縱軸的線的尺寸是0.2mm或更大。

25.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，所述導(dǎo)電尖端具有10°或更小的平均全錐角。

26.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述尖端包括與導(dǎo)電尖端的縱軸在3°或更小內(nèi)對(duì)準(zhǔn)的單晶端層。

27.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端包括選自由鎢、鉭、鉭、銥、錸、鈮、鉑和鉬構(gòu)成的組的材料。

28.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是鎢尖端。

29.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電尖端是W(111)尖端。

30.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，還包括能夠?qū)⑼ㄟ^氣體與所述導(dǎo)電尖端相互作用所產(chǎn)生的離子束聚焦于樣品上的離子光學(xué)器件。

31.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是氣體場離子顯微鏡。

32.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是氦離子顯微鏡。

33.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是掃描離子顯微鏡。

34.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是掃描氦離子顯微鏡。