[發明專利]氧化釕涂層在基體上的沉積

無效

• 申請號: 200680051492.0
• 申請日: 2006-11-21
• 公開（公告）號: CN101365657A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: L·葉;M·P·小雷明頓
• 申請（專利權）人: 皮爾金頓北美公司;皮爾金頓集團有限公司
• 主分類號: C03C17/245
• 分類號: C03C17/245;C23C16/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 林毅斌;韋欣華

1.一種通過化學氣相沉積法在基體上產生二氧化釕涂層或類釕金屬涂層的方法，所述方法包括：

提供熱玻璃基體，所述基體具有待沉積所述涂層的表面；

將惰性載氣、含釕前體和含氧化合物朝向待涂布表面并沿著所述表面；和

使所述含釕前體和含氧化合物在所述玻璃基體表面上或附近反應形成二氧化釕涂層或類釕金屬涂層。

2.權利要求1的方法，其中所述惰性載氣包括氦和氮氣中的至少一種。

3.權利要求1的方法，其中所述含氧化合物為氧氣。

4.權利要求1的方法，所述方法還包括提供水蒸氣和含釕前體和含氧化合物。

5.權利要求1的方法，其中所述二氧化釕層以超過或等于約130sec的速率沉積。

6.權利要求1的方法，其中所述含釕前體選自：羰基釕、二茂釕、三(四甲基庚二酮根)合釕和二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮根)(1，5-環辛二烯)合釕。

7.權利要求6的方法，其中所述含釕前體包含二茂釕。

8.權利要求1的方法，其中所述二氧化釕涂層在約常壓下沉積。

9.權利要求1的方法，其中所述二氧化釕涂層在約550℃-約650℃沉積。

10.權利要求7的方法，其中在朝向待涂布表面之前使所述二茂釕在約120-約175℃下升華。

11.權利要求1的方法，其中所述基體包括玻璃。

12.一種通過常壓化學氣相沉積法在玻璃基體上產生二氧化釕涂層或類釕金屬涂層的方法，所述方法包括：

提供熱玻璃基體，所述基體具有待沉積所述涂層的表面；

將惰性載氣、含釕前體和含氧化合物朝向待涂布表面并沿著所述表面；和

使所述含釕前體和含氧化合物在所述玻璃基體表面上或附近反應形成二氧化釕涂層或類釕金屬涂層，

其中所述含釕前體選自：羰基釕、二茂釕、三(四甲基庚二酮根)合釕和二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮根)(1，5-環辛二烯)合釕。

13.一種通過權利要求1的方法制備的涂布制品。

14.權利要求13的涂布制品，其中所述二氧化釕或類釕金屬涂層的厚度為約600-約800。

15.權利要求13的涂布制品，其中所述涂層為具有金紅石晶體結構的二氧化釕涂層。

16.權利要求13的涂布制品，其中所述二氧化釕或類釕金屬涂層的電阻率為約50-約90μΩcm。

17.權利要求13的涂布制品，其中所述涂布玻璃制品為低輻射玻璃。

18.權利要求13的涂布制品，其中所述涂布制品為防陽光玻璃。

19.權利要求13的涂布制品，所述涂布制品除了施加到玻璃基體上的所述二氧化釕或類釕金屬涂層外，還包括至少一種其它涂層。