[發明專利]超快恢復二極管

有效

• 申請號: 200680051396.6
• 申請日: 2006-12-19
• 公開（公告）號: CN101366124A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 理查德·弗朗西斯;李健;范楊榆;埃里克·約翰遜
• 申請（專利權）人: 美商科斯德半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/861;H01L29/36;H01L29/868
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種整流器件，包括：

第一極性的襯底；

所述第一極性的輕摻雜層，連接至所述襯底；

所述整流器件的陰極，與所述輕摻雜層相對設置在所述 襯底的表面上；

金屬化層，設置在所述輕摻雜層上作為所述整流器件的 陽極；

多個溝槽，垂直凹進到所述輕摻雜層中，其中，所述多 個溝槽中的每個溝槽均埋置有導電材料；

彼此分離的多個阱，形成在所述多個溝槽下方并鄰近于 所述多個溝槽，所述多個阱包括第二極性的摻雜質，其中，所 述多個阱經由所述導電材料電連接至所述金屬化層；以及 多個JFET溝道區，位于所述多個阱中的各個阱之間，所 述多個JFET溝道區比所述輕摻雜層更重地摻雜所述第一極 性，其中，所述整流器件被構造成使得在正向偏壓條件下多數 電流流過JFET溝道區。

2.根據權利要求1所述的整流器件，還包括在所述多個溝槽中的 每個溝槽上形成氧化物側壁的氧化物層。

3.根據權利要求1所述的整流器件，其中，所述第一極性為n 型。

4.根據權利要求1所述的整流器件，其中，所述輕摻雜層是外延 層。

5.根據權利要求1所述的整流器件，其中，所述金屬化層包括鋁。

6.根據權利要求5所述的整流器件，其中，所述金屬化層包括硅。

7.根據權利要求1所述的整流器件，還包括在所述金屬化層和所 述輕摻雜層之間的肖特基勢壘。

8.根據權利要求7所述的整流器件，還包括PiN區域，其中， 所述肖特基勢壘的區域與所述PiN區域的比值大于1.0。

9.根據權利要求1所述的整流器件，其中，所述多個溝槽之間的 間距小于1.0微米。

10.根據權利要求1所述的整流器件，其中，所述多個溝槽的深度 小于0.9微米。