[發明專利]一種主電極及其制備方法

有效

• 申請號: 200680051145.8
• 申請日: 2006-11-20
• 公開（公告）號: CN101360851A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: M·弗雷登貝格;P·默勒;P·威文－尼爾松;C·阿龍松;M·達伊內塞
• 申請（專利權）人: 萊里斯奧魯斯技術公司
• 主分類號: C25D17/12
• 分類號: C25D17/12;C25D5/02;C25F3/14;B81C1/00
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種主電極，該主電極用于與基底形成電化學室，該主電極包括：

載體(1，2，3，9)，該載體的至少一部分為導電材料；

絕緣圖案層(7)，該絕緣圖案層的至少一部分包括至少一個絕緣材料層，該絕緣圖案層設置于所述載體(1，2，3，9)的正面，并具有至少一個空腔，其中，所述載體包括：

盤(2)，該盤包括具有絕緣覆層(3)的至少一個導電或半導電材料層；和

至少一個導電電極層(4)，該導電電極層包括形成電極的材料，并且該導電電極層覆蓋所述盤(2)的正面的至少一部分且與所述盤(2)具有電接觸。

2.根據權利要求1所述的主電極，其中，所述載體包括：

連接部分，該連接部分包括至少一個導電材料層，并且覆蓋所述盤的背面的至少一部分，和/或與所述盤(2)和所述導電電極層(4)具有電接觸。

3.根據權利要求1或2所述的主電極，其中，除了所述盤的正面的中間部分和背面的中間部分，所述絕緣覆層覆蓋了導電或半導電材料的其它所有部分；或者，所述絕緣覆層選擇性地覆蓋所述盤的特定部分，或者覆蓋所述盤的全部導電或半導電層，其中，通過包括濕式蝕刻法或干式蝕刻法在內的蝕刻法，或機械研磨法，選定區域內覆著的絕緣材料被部分地除去。

4.一種主電極，該主電極用于與基底形成電化學室，該主電極包括：

載體(1，4，5，9，11)，該載體的至少一部分包括至少一個導電和/或半導電材料層；

絕緣圖案層(7)，該絕緣圖案層的至少一部分包括至少一個絕緣材料層，該絕緣圖案層設置于所述載體(1，4，5，9，11)的正面，其中，所述載體包括：

盤(9)，該盤包括至少一個絕緣材料層，該絕緣材料層為透明的或非透明的；

導電電極層(4)，該導電電極層包括至少一個形成電極的材料層，并且該導電電極層至少部分地覆蓋所述盤的正面；

孔層(11)，該孔層包括至少一個導電材料層并與所述導電電極層(4)具有電接觸。

5.根據權利要求4所述的主電極，其中，該主電極還包括：

連接層(5)，該連接層與所述孔層(11)和導電電極層(4)具有電接觸；所述連接層(5)包括至少一個導電材料層，該導電材料層覆蓋所述盤的背面表面的至少一部分。

6.一種主電極，該主電極用于與基底形成電化學室，該主電極包括：

盤(2)，該盤包括至少一個導電和/或半導電材料層；

絕緣層(3)，該絕緣層的至少一部分包括至少一個絕緣材料層；

所述絕緣層(3)的正面具有至少一個凹槽，每個凹槽均具有導電電極層(4)，該導電電極層含有形成電極的導電材料；

所述絕緣層(3)的背面具有至少一個凹槽(5)。

7.根據權利要求6所述的主電極，其中，所述絕緣層(3)圍繞所述盤(2)設置。

8.根據權利要求6或7所述的主電極，其中，位于所述絕緣層的背面的凹槽(5)具有連接層，該連接層包括至少一個導電和/或半導電材料層，該導電和/或半導電材料層與所述盤(2)和所述導電電極層(4)具有電接觸。

9.一種主電極，該主電極用于與基底形成電化學室，該主電極包括：

載體(1)，該載體包括至少一個導電和/或半導電材料層，該載體的正面具有多個凹槽，并且在凹槽之間設置有至少一個絕緣層(12)；所述至少一個導電和/或半導電材料層中的每個凹槽均包括底面和側面，該側面具有至少一個絕緣材料層(7)；所述底面具有至少一個導電電極層(4)，該導電電極層包括形成電極的導電材料。

10.根據權利要求9所述的主電極，其中，所述載體(1)包括具有至少一個絕緣材料層(7)的背面，所述絕緣材料層包括至少一個形成連接的凹槽(5)。

11.根據權利要求10所述的主電極，其中，所述形成連接的凹槽(5)具有至少一個導電電極層。

12.根據權利要求1、2、4或5所述的主電極，其中，所述載體(1)由至少一個導電和/或半導電材料層制成，所述載體在絕緣圖案層(7)的空腔內具有導電電極層(4)，該導電電極層包括形成電極的導電材料。