[發明專利]包含有機半導體配方的電子短溝道器件

有效

• 申請號: 200680051140.5
• 申請日: 2006-12-20
• 公開（公告）號: CN101361205A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: S·D·奧吉爾;J·韋賴什;M·蔡丹
• 申請（專利權）人: 默克專利股份有限公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王健

1.包含柵電極、源電極和漏電極的電子器件，其中所述的源和漏 電極通過特定距離即“溝道長度”來分離，所述的器件進一步包含被 提供在源和漏電極之間且包含一種或多種有機半導體化合物和有機粘 合劑的有機半導體材料，其特征在于溝道長度≤50微米且所述的粘合 劑為半導體粘合劑，以及所述器件是有機場效應晶體管。

2.根據權利要求1的器件，其特征在于所述的溝道長度≤20微 米。

3.根據權利要求1或2的器件，其特征在于所述的半導體粘合劑 選自聚芳胺、聚芴、聚茚并芴、聚螺二芴、聚硅烷、聚噻吩、一種或 多種上述聚合物的共聚物和聚芳胺-丁二烯共聚物。

4.根據權利要求1或2的器件，其特征在于所述的半導體粘合劑 選自PTAA及其共聚物、聚芴及其與PTAA的共聚物、聚硅烷、聚苯基 三甲基乙硅烷、順式和反式聚茚并芴及其與PTAA的共聚物，所有都任 選地具有烷基或芳族取代基。

5.根據權利要求1或2的器件，其特征在于所述的有機半導體化 合物選自式I

其中

k為0或1，

l為0或1，

R^1-14在多個存在的情況下彼此獨立表示相同或不同的選自以下的 基團：H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR⁰R⁰⁰、 -C(＝O)X、-C(＝O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、 -NO₂、-CF₃、-SF₅、任選被取代的甲硅烷基、或任選被取代的且任選包 含一個或多個雜原子的具有1到40個C原子的二價碳基或烴基，

X是鹵素，

R⁰和R⁰⁰彼此獨立為H或任選被取代的任選包含一個或多個雜原子 的二價碳基或烴基基團，

任選地，位于多并苯的相鄰環位上的取代基R¹-R¹⁴的兩個或多個構 成進一步的具有4-40個C原子的飽和的、不飽和或芳族的環系，該環 系為單環或多環的，稠合到多并苯上，任選插入一個或多個選自-O-、 -S-和-N(R⁰)-的基團，且任選被一個或多個相同或不同的基團R¹所取 代，

任選地，在多并苯骨架上或在由R^1-14所形成的環上的一個或多個 碳原子被選自N、P、As、O、S、Se和Te的雜原子所取代。

6.根據權利要求5的器件，其特征在于在式I中R⁵、R⁷、R¹²和R¹⁴為H，且R⁶和R¹³為-C≡C-SiR′R″R″′，R′、R″、R″′選自任選被取代 的C_1-10烷基和任選被取代的C_6-10芳基。

7.根據權利要求5的器件，其特征在于在式I中R^1-4和R^8-11的至 少一個不同于H且選自直鏈或支鏈的C_1-6-烷基或F，且k和l為1。

8.根據權利要求5的器件，其特征在于在式I中

a)l＝0，且R²和R³與多并苯一起形成選自吡啶、嘧啶、噻吩、硒 吩、噻唑、噻二唑、唑和二唑的芳雜環，和/或

b)k＝0，且R⁹和R¹⁰與多并苯一起形成選自吡啶、嘧啶、噻吩、硒 吩、噻唑、噻二唑、唑和二唑的芳雜環。

9.根據權利要求1或2的器件，其特征在于它是頂柵或底柵有機 場效應晶體管器件。