[發(fā)明專利]激光退火方法以及激光退火裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680050867.1 | 申請日: | 2006-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN101356624A | 公開(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 西田健一郎;川上隆介;河口紀仁;正木深雪 | 申請(專利權)人: | 株式會社IHI |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 閆小龍;劉宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 退火 方法 以及 裝置 | ||
1.一種激光退火方法,將從固體激光器光源射出的激光在非晶半導體膜的表面上聚光為矩形光束,一邊使該矩形光束在其短軸方向上相對于非晶半導體膜進行相對移動一邊進行照射,使該非晶半導體膜多晶化,該激光退火方法的特征在于,
使通過波導并被分割后的激光通過由兩個柱面透鏡構成的Y方向端面轉印光學系統(tǒng),從而對所述非晶半導體膜照射將所述矩形光束的短軸方向的能量分布進行均勻化后的激光;
在所述兩個柱面透鏡之間配置有Y方向干涉降低光學系統(tǒng)。
2.一種激光退火裝置,將從固體激光器光源射出的激光在非晶半導體膜的表面上聚光為矩形光束,一邊使該矩形光束在其短軸方向上相對于非晶半導體膜進行相對移動一邊進行照射,使該非晶半導體膜多晶化,該激光退火裝置的特征在于,
在所述激光的光路上具有對所述矩形光束的短軸方向的能量分布進行均勻化的短軸方向均勻化單元,
所述短軸方向均勻化單元具備:波導;以及由兩個柱面透鏡構成的Y方向端面轉印光學系統(tǒng),通過所述波導并被分割后的激光通過所述Y方向端面轉印光學系統(tǒng),
在所述兩個柱面透鏡之間配置有Y方向干涉降低光學系統(tǒng)。
3.根據權利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,
波導由實心平行六面體的透明體形成。
4.根據權利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,
所述短軸方向均勻化單元是包括衍射光學元件的光學系統(tǒng)。
5.根據權利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,
所述非晶半導體膜是非晶硅膜。
6.根據權利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,
所述固體激光器光源是Nd:YAG激光器、Nd:YLF激光器、Nd:YVO4激光器、Nd:玻璃激光器、Yb:YAG激光器、Yb:YLF激光器、Yb:YVO4激光器、Yb:玻璃激光器中的任意一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





