[發明專利]在成像器的陷入區中提供均勻濾色片的方法及裝置無效
| 申請號: | 200680050829.6 | 申請日: | 2006-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN101356647A | 公開(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發明(設計)人: | 烏爾里希·C·伯蒂格 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 王允方 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 陷入 提供 均勻 濾色片 方法 裝置 | ||
1、一種像素,其包含:
光電轉換器件,其形成在襯底上;
透鏡,其在所述光電轉換器件上;
多個已制造層,其在所述光電轉換器件與透鏡之間;
溝槽,其形成在所述透鏡與光電轉換器件之間并在所述多個已制造層的至少一者中的位置處;及
濾色片層,其具有陷入所述溝槽中的均勻厚度。
2、如權利要求1所述的像素,其中所述光電轉換器件是光電傳感器。
3、如權利要求1所述的像素,其中所述光電轉換器件是光電發射體。
4、如權利要求1所述的像素,其中所述濾色片從所述透鏡層下面的層延伸到所述襯底上面的層。
5、如權利要求4所述的像素,其中在所述透鏡的層級下面的所述層包含鈍化層。
6、如權利要求4所述的像素,其中所述襯底上面的所述層包含硼磷硅玻璃層。
7、如權利要求1所述的像素,其中所述溝槽形成在多個已制造層內。
8、如權利要求1所述的像素,其中所述濾色片層是包含多個濾色片的濾色片陣列的一部分。
9、一種像素,其包含:
光電轉換器件,其形成在襯底上;
透鏡,其在所述光電轉換器件上;
多個已制造層,其在所述光電轉換器件與透鏡之間;
溝槽,其形成在所述透鏡與所述光電轉換器件之間的所述多個已制造層中的一者或一者以上中;及
濾色片層,其具有陷入所述溝槽內的均勻厚度。
10、如權利要求9所述的像素,其中所述光電轉換器件是光電傳感器。
11、如權利要求9所述的像素,其中所述光電轉換器件是光電發射體。
12、如權利要求10所述的像素,其中所述溝槽形成在多個已制造層的至少一部分內。
13、如權利要求10所述的像素,其中所述濾色片層是包含多個濾色片的濾色片陣列的一部分。
14、一種圖像傳感器,其包含:
至少一個像素,其包含:
光電轉換器件,其形成在襯底上;
透鏡,其在所述光電轉換器件上;及
多個已制造層,其在所述光電轉換器件與透鏡之間;
溝槽,其形成在所述透鏡與所述光電轉換器件之間的所述多個已制造層中的至少一者中;及
濾色片層,其具有陷入所述溝槽內的均勻厚度。
15、如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述光電轉換器件是光電傳感器。
16、如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述光電轉換器件是光電發射體。
17、如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述濾色片層是包含多個濾色片的濾色片陣列的一部分。
18、如權利要求14所述的圖像傳感器,其中所述溝槽形成在多個已制造層內。
19、一種圖像傳感器,其包含:
像素陣列,其包含:
多個光電傳感器,其形成在襯底上;
多個透鏡,每一透鏡分別位于相應光電傳感器上;
多個已制造層,其在所述多個光電傳感器與所述多個透鏡之間;
多個溝槽,其形成在位于相應透鏡與相應光電傳感器之間的所述多個已制造層中的至少一者中;及
多個濾色片,每一濾色片均具有均勻厚度且陷入相應溝槽內,所述多個濾色片包括針對不同色彩的濾色片。
20、如權利要求19所述的圖像傳感器,其中所述溝槽形成在多個已制造層內。
21、一種系統,其包含:
處理器,其耦合到圖像傳感器,所述圖像傳感器包含:
至少一個像素,其包含:
光電轉換器件,其形成在襯底上;
透鏡,其在所述光電轉換器件上;
多個已制造層,其在所述光電轉換器件與透鏡之間且部分地形成于所述多個已制造層中的一者中;
溝槽,其在所述透鏡與所述光電轉換器件之間的位置處形成于所述多個已制造層中的至少一者中;及
濾色片層,其具有陷入所述溝槽內的均勻厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





