[發明專利]有源矩陣基板、顯示裝置、電視接收機

有效

• 申請號: 200680050738.2
• 申請日: 2006-10-24
• 公開（公告）號: CN101356557A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 津幡俊英;岡田美廣
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1333;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種有源矩陣基板，其包括像素電極和晶體管，該晶體管的源極電極與數據信號線連接、且該晶體管的漏極電極與所述像素電極連接，并且該晶體管的柵極電極與掃描信號線連接或者構成掃描信號線的一部分，以覆蓋該柵極電極的方式設置有柵極絕緣膜，所述有源矩陣基板的特征在于：

所述柵極絕緣膜在柵極電極上具有薄膜部和膜厚比該薄膜部的膜厚大的非薄膜部，

所述漏極電極的至少一部分與所述柵極電極隔著薄膜部和半導體層重疊，并且所述源極電極的至少一部分與所述柵極電極隔著薄膜部和半導體層重疊，

所述源極電極和薄膜部的重疊面積比所述漏極電極和薄膜部的重疊面積小。

2.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述柵極絕緣膜由多個柵極絕緣層構成，在薄膜部具有1個以上的柵極絕緣層，在非薄膜部具有比之多的柵極絕緣層。

3.如權利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于：

至少一個柵極絕緣層為平坦化膜。

4.如權利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于：

在所述非薄膜部中，最下層的柵極絕緣層為平坦化膜。

5.如權利要求4所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述平坦化膜的與基板面接觸的部分的厚度比在基板面上形成的柵極電極大。

6.如權利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于；

在所述非薄膜部形成有由旋涂玻璃(SOG)材料構成的SOG膜作為最下層的柵極絕緣層，而在所述薄膜部上未形成有該SOG膜。

7.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述薄膜部的邊緣附近為順錐形狀。

8.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述薄膜部具有直線狀的邊緣，

所述漏極電極具有在所述邊緣方向延伸的延伸部和從該延伸部向著遠離源極電極的方向延伸的連接部，

所述延伸部位于薄膜部上，并且連接部與所述邊緣重疊，該連接部的所述邊緣方向的寬度比延伸部的所述邊緣方向的寬度小。

9.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述薄膜部的邊緣的一部分從所述半導體層的外周露出。

10.如權利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述漏極電極由配置在所述源極電極兩側的2個電極構成。

11.一種有源矩陣基板，其包括：在1個像素區域中設置的第一像素電極和第二像素電極；第一晶體管和第二晶體管，其中，第一晶體管和第二晶體管各自的源極電極與同一數據信號線連接，第一晶體管的漏極電極與第一像素電極連接，第二晶體管的漏極電極與第二像素電極連接，第一晶體管和第二晶體管各自的柵極電極與同一掃描信號線連接或者構成同一掃描信號線的一部分，以覆蓋第一晶體管的柵極電極和第二晶體管的柵極電極的方式設置有柵極絕緣膜，所述有源矩陣基板的特征在于：

所述柵極絕緣膜在第一晶體管的柵極電極上具有第一薄膜部和膜厚比該第一薄膜部的膜厚大的第一非薄膜部，并且在第二晶體管的柵極電極上具有第二薄膜部和膜厚比該第二薄膜部的膜厚大的第二非薄膜部，

第一晶體管的漏極電極的至少一部分與第一晶體管的柵極電極隔著第一薄膜部和第一半導體層重疊，并且第一晶體管的源極電極的至少一部分與第一晶體管的柵極電極隔著第一薄膜部和第一半導體層重疊，

第二晶體管的漏極電極的至少一部分與第二晶體管的柵極電極隔著第二薄膜部和第二半導體層重疊，并且第二晶體管的源極電極的至少一部分與第二晶體管的柵極電極隔著第二薄膜部和第二半導體層重疊，

第一晶體管的源極電極和第一薄膜部的重疊面積比第一晶體管的漏極電極和第一薄膜部的重疊面積小，第二晶體管的源極電極和第二薄膜部的重疊面積比第二晶體管的漏極電極和第二薄膜部的重疊面積小。