[發(fā)明專利]火焰打孔的孔隙掩模

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680048258.2
• 申請日: 2006-12-05
• 公開（公告）號: CN101341581A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 喬納森·A·尼科爾斯;杰弗里·H·托奇;邁克爾·W·本奇;馬克·A·斯特羅貝爾;喬爾·A·熱舍爾;唐納德·J·穆克盧爾
• 申請（專利權）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 車文;鄭立

1.一種孔隙掩模，包括：

細長的柔性薄膜幅材；以及

至少一個在所述薄膜中形成的沉積掩模圖案，

其中所述沉積掩模圖案限定貫穿薄膜延伸的沉積孔隙，所述孔隙限定一個或多個電子電路元件的至少一部分，并且

其中沉積孔隙由邊緣界定，所述邊緣為所述掩模的一部分，所述邊緣具有大于所述掩模的平均厚度的厚度。

2.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述孔隙掩模包括多個獨立的沉積掩模圖案。

3.根據(jù)權利要求2所述的孔隙掩模，其中每個沉積掩模圖案基本上相同。

4.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材為足夠柔性的，使其可被卷繞以形成卷材。

5.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材為可拉伸的，使其可在至少幅材縱向方向上被拉伸。

6.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材在至少幅材橫向方向上為可拉伸的。

7.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材包含聚合物薄膜。

8.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材包含聚酰亞胺薄膜。

9.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中所述薄膜幅材包含聚酯薄膜。

10.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中至少一個沉積孔隙具有小于1000微米的最小直徑。

11.根據(jù)權利要求1所述的孔隙掩模，其中至少一個沉積孔隙具有小于250微米的最小直徑。

12.一種用于將材料的圖案連續(xù)地沉積在基底上的裝置，包括：

基底遞送輥，所述基底從其遞送；

第一基底接納輥，所述基底被接納在所述接納輥上，使得所述基底從所述基底遞送輥延伸至所述基底接納輥，所述基底連續(xù)地從所述基底遞送輥行進至所述基底接納輥；

第一掩模，包含限定第一圖案的孔隙，包括：

細長的柔性薄膜幅材；以及

至少一個在所述薄膜中形成的沉積掩模圖案，

其中所述沉積掩模圖案限定貫穿所述薄膜延伸的沉積孔隙，所述孔隙限定一個或多個電子電路元件的至少一部分，并且

其中沉積孔隙由邊緣界定，所述邊緣為所述掩模的一部分，所述邊緣具有大于所述掩模的平均厚度的厚度；

第一掩模遞送輥，第一掩模從所述第一掩模遞送輥遞送；

第一掩模接納輥，所述第一掩模被接納在所述第一掩模接納輥上，使得所述掩模從所述掩模遞送輥延伸至所述掩模接納輥，所述第一掩模連續(xù)地從所述第一掩模遞送輥行進至所述第一掩模接納輥；

第一轉筒，在所述第一轉筒上所述基底和第一聚合物掩模在所述第一轉筒的圓周的一部分上進入接觸，所述接觸發(fā)生在從所述基底和掩模遞送輥的遞送與到所述基底和掩模接納輥上的接納之間，所述第一轉筒連續(xù)地旋轉；以及

第一沉積源，定位成連續(xù)地將第一沉積材料導向所述第一掩模的在所述第一轉筒的圓周的所述部分上的部分，使得所述第一沉積材料的至少一部分穿過所述第一掩模的所述孔隙以將所述第一材料的所述第一圖案連續(xù)地沉積在所述基底上。

13.根據(jù)權利要求12所述的裝置，還包括：

第一基底伸長控制系統(tǒng)，當所述基底接觸在所述第一轉筒的圓周的一部分上時，所述系統(tǒng)保持所述基底在從所述基底遞送輥到所述第一轉筒的遞送方向上的預定伸長；以及

第一掩模伸長控制系統(tǒng)，當所述第一掩模在所述第一轉筒的圓周的一部分上進入接觸時，所述系統(tǒng)保持所述第一掩模在從所述第一掩模遞送輥到所述第一轉筒的遞送方向上的預定伸長。

14.根據(jù)權利要求12所述的裝置，還包括：

第一基底橫向位置控制系統(tǒng)，包括幅材導件，將所述基底的所述橫向位置調整至所述第一轉筒上的預定橫向位置；以及

第一掩模橫向位置控制系統(tǒng)，包括幅材導件，將所述第一掩模的所述橫向位置調整至所述第一轉筒上的預定橫向位置。

15.根據(jù)權利要求12所述的裝置，其中所述基底在所述第一轉筒的圓周的所述部分上直接接觸所述第一轉筒，其中所述第一掩模在所述第一轉筒的圓周的所述部分上直接接觸所述基底，并且其中所述第一沉積源定位在所述第一轉筒的外部的位置，使得所述第一掩模定位在所述基底和所述第一沉積源之間。