[發(fā)明專利]MEMS諧振器及其制造方法，以及MEMS振蕩器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680048256.3 | 申請日： | 2006-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN101395795A | 公開（公告）日： | 2009-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 約瑟夫·T·M·范貝克;巴爾特·范費(fèi)爾岑 | 申請（專利權(quán)）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陳 源;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 諧振器 及其 制造 方法 以及 振蕩器 | ||
1.一種MEMS諧振器，其包括第一電極和可移動元件(48)形式的第二電極，可移動元件(48)至少朝向第一電極是可移動的，第一電極和可移動元件(48)被具有側(cè)壁的間隔(46，47)分開，其中，第一電極和第二電極作為半導(dǎo)體主體(10)的頂層(40)的一部分而形成，其中半導(dǎo)體主體包括襯底層(20)、犧牲層(30)和頂層(40)，其中在第一電極下存在犧牲層，而在第二電極(48)下不存在犧牲層，以及其中在間隔(46，47)的至少一個側(cè)壁上提供了電介質(zhì)層(60)。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS諧振器，其特征在于在至少兩個側(cè)壁上提供了電介質(zhì)層(60)。
3.一種制造MEMS諧振器的方法，其包括以下步驟：
提供半導(dǎo)體主體(10)，其包括襯底層(20)、在襯底層(20)上所提供的犧牲層(30)和在犧牲層(30)上所提供的頂層(40)；
形成頂層(40)圖案，以形成間隔(46，47)，間隔(46，47)局部地暴露犧牲層(30)，間隔(46，47)還用于限定可移動元件(48)；
選擇性地去除犧牲層(30)，以將移動元件(48)從襯底層(20)部分地釋放出來；以及
在與可移動元件(48)周圍的頂層(40)相關(guān)的間隔(46，47)的至少一個側(cè)壁上提供電介質(zhì)層(60)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于在提供半導(dǎo)體主體(10)的步驟中，在犧牲層(30)上提供了包含硅的頂層(40)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于提供電介質(zhì)層(60)的步驟包括氧化步驟，由此，與頂層(40)相關(guān)的間隔(46，47)的至少一個側(cè)壁上的至少硅被轉(zhuǎn)化為氧化硅。
6.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于提供電介質(zhì)層(60)的步驟包括沉積電介質(zhì)層，在與頂層(40)相關(guān)的間隔(46，47)的至少一個側(cè)壁上提供了該電介質(zhì)層(60)。
7.一種MEMS振蕩器，其包括如權(quán)利要求1或2所述的MEMS諧振器。
8.一種集成電路，其包括如權(quán)利要求7所述的MEMS振蕩器。
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