[發明專利]通過測量散射參數確定特征線路參數的測量裝置

無效

• 申請號: 200680048217.3
• 申請日: 2006-11-23
• 公開（公告）號: CN101341413A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: T·路德維格;H·舍特勒;T－M·溫凱
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G01R27/32
• 分類號: G01R27/32;G01R31/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李玲

技術領域

本發明涉及用于通過測量作為電信號線路的頻率的函數的散射參數(S參數)來確定特征線路參數的測量裝置。

背景技術

在如今高性能計算機的開發過程中，用于所有封裝水平上的硬件關聯測量的模型是必需的。時域和頻域中的不同測量技術需要不同的測量設備和測試臺設計。對測試臺的一個要求等同于對產品的要求。因此，需要對產品中的芯片上的傳輸線路進行測量，如對分布在芯片上的所有金屬層中的電源和接地線進行測量。此外，不僅對測量單條信號傳輸線路感興趣，而且對像布線溝道利用那樣的產品感興趣。這對于反映芯片上的真實信號耦合行為和頂層金屬層與半導電基板之間的金屬層的屏蔽效果來說是必需的。

一種已知的測量技術是所謂的S參數測量，參見Zinke/Brunswig??，”Lehrbuch?der?Hochfrequenztechnik”，Springer-Verlag，1989。S參數是n端口網絡的反射和傳輸系數。單條傳輸線路的等同物例如是由2X2S參數矩陣表征的雙端口網絡。

由以下關系描述雙端口網絡：

b1b2=S11S12S21S22.a1a2]]>

其中，S₁₁、S₂₂、S₁₂和S₂₁是S參數，即

S₁₁＝在輸出端口端接有匹配負載的情況下的輸入反射系數，

S₂₂＝在輸入端口端接有匹配負載的情況下的輸出反射系數，

S₁₂＝在輸入端口端接有匹配負載的情況下的反向傳輸(插入)增益，

S₂₁＝在輸出端口端接有匹配負載的情況下的正向傳輸(插入)增益，

變量a₁、a₂和b₁、b₂是入射在雙端口網絡的第一和第二端口上并從該第一和第二端口反射的復合(complex)電壓波。

在本情況下，S參數測量是一種有利的測量技術，因為S參數比其他類型的參數更容易測量和在高頻下操作。