[發明專利]二氧化硅基材料

有效

• 申請號: 200680047477.9
• 申請日: 2006-12-11
• 公開（公告）號: CN101356003A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: J·艾克羅斯
• 申請（專利權）人: 阿克佐諾貝爾公司
• 主分類號: B01J20/32
• 分類號: B01J20/32;B01J20/286;B01J20/287
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 任宗華

1.制備有機基改性的二氧化硅基材料的方法，該方法包括在含25-100重量％水的含水介質內混合二氧化硅基材料(S)和一種或更多種有機基硅烷化合物(A)，提供反應混合物，和使該混合物反應，其中一種或更多種有機基硅烷化合物(A)具有：

-通式(R₁)_3-n(X)_nSiR₃，其中R₁是C₁-C₄烷基、C₂-C₄鏈烯基或C₂-C₄炔基，R₃是C₁-C₈烷基、C₂-C₈鏈烯基或C₂-C₈炔基，和X是離去基，n＝2或3，或

-通式(R₄)_3-n(X)_nSiR₆Si(R₅)_3-m(Y)_m，其中R₄和R₅彼此獨立地為C₁-C₄烷基，C₂-C₄鏈烯基或C₂-C₄炔基，R₆是C₁-C₈亞烷基、C₂-C₈亞烯基或C₂-C₈亞炔基，和X與Y是離去基，n＝2或3，m＝2或3，

二氧化硅基材料(S)是多孔顆粒形式，或者單片材料形式，它的中孔孔徑為10-3000埃。

2.權利要求1的制備有機基改性的二氧化硅基材料的方法，其中一種或更多種有機基硅烷化合物(A)具有

-通式(R₁)_3-n(X)_nSiR₃，其中R₁是C₁-C₂烷基，R₃是C₁-C₂烷基，和X是離去基，n＝2或3，或

-通式(R₄)_3-n(X)_nSiR₆Si(R₅)_3-m(Y)_m，其中R₄和R₅彼此獨立地為C₁-C₂烷基，R₆是C₁-C₃亞烷基或C₂-C₃亞烯基，和X與Y是離去基，n＝2或3，m＝2或3。

3.權利要求1的制備有機基改性的二氧化硅基材料的方法，其中通過任何順序，(i)添加一種或更多種有機基硅烷化合物A到含25-100重量％水的含水介質內，并在其內至少部分溶解，和(ii)添加二氧化硅基材料(S)，提供該反應混合物。

4.權利要求2的制備有機基改性的二氧化硅基材料的方法，其中通過任何順序，(i)添加一種或更多種有機基硅烷化合物A到含25-100重量％水的含水介質內，并在其內至少部分溶解，和(ii)添加二氧化硅基材料(S)，提供該反應混合物。

5.權利要求1-4任何一項的方法，其中反應混合物的溫度為40-300℃。

6.權利要求1-4任何一項的方法，其中反應混合物的溫度為75-175℃。

7.權利要求1-4任何一項的方法，包括第一步，其中二氧化硅基材料(S)和一種或更多種有機基硅烷化合物(A)的反應混合物在溫度TEMP1下反應，接著第二步，其中包括將第一步生產的已反應的二氧化硅基材料置于溫度TEMP2下，其中TEMP2＞TEMP1。