[發明專利]場效應晶體管

無效

• 申請號: 200680047375.7
• 申請日: 2006-12-12
• 公開（公告）號: CN101331599A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 松永高治;大田一樹;岡本康宏;中山達峰;分島彰男;安藤裕二;宮本廣信;井上隆;村瀨康裕
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L29/06;H01L29/778;H01L29/812
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;黃啟行

1.一種場效應晶體管，包括：

溝道層，其由第一未摻雜GaN層構成；

電子施主層，其與所述溝道層相接觸地被提供在所述溝道層上，并且由Al_xGa_1-xN(0＜x≤1)構成；

第二未摻雜GaN層，其被提供在所述電子施主層上；

源電極和漏電極，被彼此間隔開地提供在所述第二未摻雜GaN層上；

凹槽，提供在所述源電極和所述漏電極之間的區域中，并延伸通過所述第二未摻雜GaN層；

柵電極，被埋入所述凹槽中，具體在所述柵電極的所述漏電極側與所述凹槽的側壁相接觸，并在所述柵電極的底部與所述電子施主層相接觸；以及

絕緣膜，提供在所述柵電極和所述漏電極之間的區域中的所述第二未摻雜GaN層上。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，

其中，在沿柵極長度方向獲得的截面圖中，

在所述柵電極的所述源電極側和所述漏電極側的所述凹槽的側壁和所述柵電極的側壁彼此直接接觸。

3.根據權利要求1或2所述的場效應晶體管，

其中，所述凹槽通過凹槽蝕刻形成。

4.根據權利要求1-3任何一項所述的場效應晶體管，

其中，所述柵電極具有在所述絕緣膜上形成的場極板部分，所述場極板部分在所述絕緣膜上象遮篷一樣朝向所述漏電極側鼓出。

5.根據權利要求1-4任何一項所述的場效應晶體管，

其中，所述絕緣膜是SiN膜、SiON膜和SiCN膜的任何一種。