[發明專利]測試裝置和插腳電子卡無效
| 申請號: | 200680047293.2 | 申請日: | 2006-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN101331405A | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發明(設計)人: | 松本直木;關野隆 | 申請(專利權)人: | 愛德萬測試株式會社 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京英特普羅知識產權代理有限公司 | 代理人: | 齊永紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 裝置 插腳 電子卡 | ||
技術領域
本發明涉及測試裝置和插腳電子卡。本發明特別涉及對半導體電路等被測試器件進行測試的測試裝置以及在測試裝置中使用的插腳電子卡。本申請與下述日本專利申請相關聯。在參照文獻確認進入的指定國中,根據參照將記載在下述申請中的內容包括在本申請中,成為本申請的一部分。
申請號:特愿2005-363384,申請日:2005年12月16日。
背景技術
作為對半導體電路等被測試器件進行測試的測試裝置,已知的有包括與被測試器件進行信號轉接的插腳電子卡的裝置。插腳電子卡被設置在測試裝置的本體部與被測試器件之間,將由測試裝置施加的測試信號輸入到被測試器件中,接收被測試器件的輸出信號。
圖4是表示現有的插腳電子卡300的結構例示圖。插腳電子卡300包括激勵器302、比較器304、FET開關312、傳送路徑314和參考電壓輸入部316。
激勵器302從測試裝置的本體部接收測試信號,輸入到被測試器件DUT中。通過FET開關312和傳送路徑314連接激勵器302和被測試器件DUT。激勵器302具有電平切換開關306、啟動開關308和輸出電阻310。
比較器304接收被測試器件DUT的輸出信號,比較該輸出信號的信號電平和施加的參考電壓。通過FET開關312和傳送路徑314連接比較器304和被測試器件DUT。而且,參考電壓輸入部316生成預先設定的參考電壓,輸入到比較器304中。
FET開關312是根據施加的柵極電壓成為接通狀態或者斷開狀態的開關,切換是否將激勵器302和比較器304與被測試器件DUT連接。通過這樣的結構,在測試裝置的本體部與被測試器件DUT之間進行信號的轉接。因為現在沒有確認相關的專利文獻等,所以省略其記載。
發明的內容
在接通狀態時,FET開關312用串聯設置在激勵器302與被測試器件DUT之間的電阻、和設置在該電阻的兩端與接地電位之間的電容成分的等效電路表示。在該等效電路中RC積為一定,不能同時實現低電阻和低電容。
其中,在降低FET開關312的接通電阻時,FET開關312接通時的電容變大。在該情形下,FET開關312不能使高頻信號通過。因此,難以采用高頻信號進行測試。
因此,為了采用高頻信號進行測試,考慮使FET開關312的接通電阻變大。但是,比較器304通過FET開關312與被測試器件DUT連接。因此,在激勵啟動時比較器304中的電壓比較受到FET開關312的接通電阻的影響。
例如,輸入到比較器304的輸出信號的信號電平被輸出電阻310和FET開關312的接通電阻所分壓。在FET開關312的接通電阻加大的情形下,該接通電阻的偏差也變大,從而使比較器304的電壓比較精度變差。
而且,FET開關312的接通電阻隨溫度、源極·柵極電壓、背柵電壓等變化。該變化隨著FET開關312的接通電阻的增大而加劇。因此,比較器304的電壓比較精度進一步變差了。
因此,本發明一個方面的目的是提供一種能夠解決上述問題的測試裝置和插腳電子卡。通過請求范圍的獨立權利要求所述的特征的組合來實現該目的。而且從屬權利要求規定了本發明更有利的具體實例。
解決問題的手段
為了解決上述問題,在本發明的第一方式中,提供一種對被測試器件進行測試的測試裝置,該測試裝置包括:將測試信號輸出到被測試器件中的激勵器;電連接激勵器和被測試器件的第一傳送路徑;設置在第一傳送路徑中的、切換是否連接激勵器和被測試器件的第一FET開關;比較被測試器件的輸出信號電壓和預先設定的參考電壓的比較器;在第一傳送路徑中,從第一FET開關和被測試器件之間分路,連接第一傳送路徑和比較器的第二傳送路徑;設置在第二傳送路徑中的、切換是否連接比較器和被測試器件的第二FET開關;檢測輸出信號,根據檢測的輸出信號,對第一FET開關的電容成分進行充放電的電容補償部。
電容補償部具有:在第二FET開關和比較器之間的第二傳送路徑中檢測輸出信號的檢測部;和將根據檢測部檢測的輸出信號產生的電流施加到激勵器和第一FET開關之間的第一傳送路徑上的電流施加部。
激勵器、比較器、第一FET開關和第二FET開關可以設置在同一個基板上。電流施加部可以與輸出信號的上升邊界相對應生成給第一FET開關的電容成分進行充電的電流,與輸出信號的下降邊界相對應生成給第一FET開關的電容成分進行放電的電流。
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