[發明專利]光學裝置和制造該光學裝置的方法

有效

• 申請號: 200680047270.1
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101331620A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 成泰連
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;羅延紅

1.一種光學裝置，包括：

光學構件；

接觸層，包括堆疊在光學構件的頂部表面和底部表面的至少一個上的至少一個透明導電氧氮化物(TCON)層，

其中，所述TCON包含從由與氧(O)和氮(N)化合的銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)和鈀(Pd)組成的組中選擇的至少一種。

2.如權利要求1所述的光學裝置，其中，光學構件包括n型氮化物包層、p型氮化物包層和置于n型氮化物包層和p型氮化物包層之間的有源層。

3.如權利要求2所述的光學裝置，其中，接觸層包括形成在n型氮化物包層上的n型接觸層和形成在p型氮化物包層上的p型接觸層中的至少一個。

4.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述TCON還包含摻雜物，以調節電特性，摻雜物包括從由金屬、氟(F)和硫(S)組成的組中選擇的至少一種。

5.如權利要求4所述的光學裝置，其中，以0.001重量百分比至20重量百分比的比率將所述摻雜物加入所述TCON。

6.如權利要求1所述的光學裝置，其中，接觸層還包含從由與TCON層結合的金屬、基于所述金屬的合金/固溶體、導電氧化物、透明導電氧化物(TCO)和透明導電氮化物(TCN)組成的組中選擇的至少一種。

7.如權利要求6所述的光學裝置，其中，所述金屬包括從由鉑(Pt)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、金(Au)、銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈹(Be)、銅(Cu)、鈷(Co)、錫(Sn)和稀土金屬組成的組中選擇的至少一種，

所述導電氧化物包括從由鎳的氧化物(Ni-O)、銠的氧化物(Rh-O)、釕的氧化物(Ru-O)、銥的氧化物(Ir-O)、銅的氧化物(Cu-O)、鈷的氧化物(Co-O)、鎢的氧化物(W-O)或鈦的氧化物(Ti-O)組成的組中選擇的至少一種，

所述TCO包括從由氧化銦(In₂O₃)、氧化錫(SnO₂)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、氧化鎘(CdO)、氧化鎂鋅(MgZnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化銦錫(InSnO)、氧化銅鋁(CuAlO₂)、氧化銀(Ag₂O)、氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化鋅錫(ZnSnO)、氧化鋅銦錫(ZITO)組成的組中選擇的至少一種，

所述TCN包括從由氮化鈦(TiN)、氮化鉻(CrN)、氮化鎢(WN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈮(NbN)組成的組中選擇的至少一種。

8.如權利要求7所述的光學裝置，還包含被引入氮化物包層上以與接觸層結合的納米級顆粒，其中，納米級顆粒包括從由金屬、基于所述金屬的合金/固溶體、導電氧化物、透明導電氧化物(TCO)和導電氮化物(TCN)組成的組中選擇的至少一種。

9.如權利要求1所述的光學裝置，還包括隧道結層，置于光學構件和接觸層之間，并包含從由第III-第V族元素組成的表示為Al_aln_bGa_cN_xP_yAs_z(a、b、c、x、y和z為整數)的化合物中選擇的一種。

10.如權利要求1所述的光學裝置，其中，將光學構件應用于光接收裝置、發光裝置、發光二極管、有機發光二極管(OLED)和太陽能電池中的任意一種。

11.一種制造光學裝置的方法，所述方法包括：

形成光學構件；

通過在光學構件的頂部表面和底部表面的至少一個上堆疊至少一個透明導電氧氮化物(TCON)層來形成接觸層，

其中，所述TCON包含從由與氧(O)和氮化合的銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)和鈀(Pd)組成的組中選擇的至少一種。