[發(fā)明專利]具有至少一個電子構(gòu)件的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680046520.X | 申請日： | 2006-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN101326867A | 公開（公告）日： | 2008-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | S·巴爾德奧夫;R·布蘭克 | 申請（專利權(quán)）人： | B2電子有限公司 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H05K1/05;H01L23/36;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 | 代理人： | 董華林 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 至少 一個 電子 構(gòu)件 裝置 | ||
1.具有至少一個電子構(gòu)件的裝置，所述裝置包括一個配設(shè)于電子構(gòu) 件的冷卻體以及一個在空間上設(shè)置在電子構(gòu)件與冷卻體之間的支承體， 該支承體具有至少一個層，所述層包括至少一種帶有至少10kV/mm的擊 穿強度和至少5W/mK的熱導率的材料，其特征在于：在支承體的所述 的層(2)內(nèi)和/或上設(shè)置至少一個凹部(5)和/或至少一個伸出的元件， 所述凹部和/或所述元件這樣構(gòu)成，使得相對于支承體的層(2)在沒有 凹部(5)和/或伸出的元件時的狀態(tài)，所述凹部和/或所述元件沿著支承 體的層(2)的表面延長在電子構(gòu)件(1)與冷卻體之間的電的可能的通 行路徑。
2.按權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述凹部和/或所述元 件這樣構(gòu)成，使得相對于支承體的層(2)在沒有凹部(5)和/或伸出的 元件時的狀態(tài)，所述凹部和/或所述元件沿著支承體的層(2)的表面延 長所有的在電子構(gòu)件(1)與冷卻體之間的電的可能的通行路徑。
3.按權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：凹部(5)和/或伸出的 元件關(guān)于支承體的層(2)和/或電子構(gòu)件(1)和/或冷卻體(3)環(huán)繞地 構(gòu)成。
4.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：凹部(5) 構(gòu)成槽形的或者溝形的。
5.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：伸出的元件 構(gòu)成壁形的。
6.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：凹部(5) 和/或伸出的元件這樣構(gòu)成，以便所述凹部和/或所述元件使得在電子構(gòu)件 (1)與冷卻體(3)之間的電的可能的通行路徑延長至少30％。
7.按權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：凹部(5)和/或伸出的 元件這樣構(gòu)成，以便所述凹部和/或所述元件使得在電子構(gòu)件(1)與冷 卻體(3)之間的電的可能的通行路徑延長至少100％。
8.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個層(2) 由同一種材料制成。
9.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個支承體 由同一種材料制成。
10.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個層(2) 構(gòu)成單件式的。
11.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個支承 體構(gòu)成單件式的。
12.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個層(2) 由彼此連接的零件(2a、2b、2c)構(gòu)成。
13.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：整個支承 體由彼此連接的零件構(gòu)成。
14.按權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于：所述零件通過粘接彼 此連接。
15.按權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于：所述零件通過粘接彼 此連接。
16.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：層(2)的 材料具有或者是氮化鋁或者氧化鋁。
17.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：電子構(gòu)件 (1)是高壓構(gòu)件，該高壓構(gòu)件設(shè)置用于在5kV與400kV之間的工作電 壓。
18.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：電子構(gòu)件 (1)的需要作為熱量導出的損耗功率在10W與10kW之間。
19.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：電子構(gòu)件 (1)和/或具有凹部(5)和/或伸出的元件的層(2)嵌入電絕緣的介質(zhì) (4)內(nèi)。
20.按權(quán)利要求1至3任一項所述的裝置，其特征在于：電子構(gòu)件 (1)和/或支承體嵌入電絕緣的介質(zhì)(4)內(nèi)。
21.按權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于：電子構(gòu)件(1)和/或 具有凹部(5)和/或伸出的元件的層(2)完全地嵌入電絕緣的介質(zhì)(4) 內(nèi)。
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