[發明專利]顯示裝置

無效

• 申請號: 200680046430.0
• 申請日: 2006-12-07
• 公開（公告）號: CN101326858A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 今井利明;安部薰;久保田紳治;森川慎一郎;西村貞一郎
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H05B33/04
• 分類號: H05B33/04;H01L51/50
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 董方源

技術領域

本發明涉及顯示裝置，并且更具體地涉及包括被保護膜覆蓋的有機電致發光器件的顯示裝置。

背景技術

作為能夠通過低電壓DC驅動來實現高輝度發光的發光器件，包括有機層的有機電致發光器件受到關注，所述有機電致發光器件被設置在陽極和陰極之間，并且其中層積了有機孔傳輸層和有機發光層。然而，有機電致發光器件具有隨時間逝去穩定性降低的問題，例如由于吸濕導致的輝度降低和發光不穩定。因此，在使用有機電致發光器件的顯示裝置中，所述有機電致發光器件被覆蓋保護膜以防止濕氣到達所述有機電致發光器件。

作為這樣的保護膜，例如氮化硅膜的有機材料膜被使用。為了形成該氮化硅膜，已經提出使用僅將SiH₄(硅烷)氣和N₂(氮)氣用作原料氣而不使用氨(NH₃)氣的等離子體CVD方法。當如上所述地形成的這樣的氮化硅膜被用作保護膜時，在該保護膜中不會出現開裂或分離，并且有機電致發光器件的操作也是穩定的(參見日本未經審查的專利申請公開No.2000-223264(具體地，段落0021-0022))。

此外，已經提出了一種構造，其中在將SiH₄(硅烷)氣、N₂(氮)氣和H₂(氫)氣用作原料氣的沉積方法中，通過改變氮氣濃度來控制膜密度以形成包括在低密度氮化硅膜之間具有的高密度氮化硅層的三層結構，從而減小保護膜中的殘余應力并且防止膜分離(參見日本未經審查的專利申請公開No.2004-63304(具體地，段落0014-0015))。

然而，如上所述的不使用氨(NH₃)氣作為原料氣所形成的氮化硅膜表現出針對波長接近450nm的藍光的較低透射率。因此，在所謂的頂部發光型(top?emission-type)顯示裝置中，藍光的發光效率降低，因此全色顯示裝置的顏色再現能力降低，在所述頂部發光型顯示裝置中從有機電致發光器件中發出的光通過保護膜被透射并且從與基板相對的一側被射出。

另一方面，當通過將氨(NH₃)氣用作原料氣的CVD方法所形成的氮化硅膜被用作保護膜時，必須通過減小沉積速率來增大所述氮化硅膜的密度。然而，這樣的高密度氮化硅膜具有較低側壁階梯覆蓋(stepcoverage)并且導致暗點(dark?spot)，因此導致有缺陷的產品。此外，因為沉積速率較低，所以制造成本增大。

此外，當沉積速率被設置為較高值時，氮化硅膜的密封屬性變弱導致器件的發光壽命縮短、色品降低并且驅動電功率增大。此外，存在這樣的問題，其中50nm到300nm的雜質黏附到膜的表面，因此不能維持保護膜的質量穩定性。

因此，本發明的目的在于提供一種顯示裝置，其中可以通過具有較高密封特性和側壁階梯覆蓋的并且沒有任何物質黏附于其表面的保護膜來保護發光器件，從而使得發光器件的性能下降以及暗點的出現可以被防止，從而維持由從保護膜一側射出的輻射光決定的良好的顯示特性。

發明內容

為了實現所述目的，本發明的顯示裝置被配置為包括在基板上設置的并且通過保護膜保護的發光器件，并且具體地該顯示裝置的特征在于，保護膜是由氮化硅膜的層構成的，所述氮化硅膜具有不同的膜密度并且通過使用氨氣的化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition)方法來沉積，并且保護膜的表層的氮化硅膜被配置為具有比下一層的氮化硅膜的密度更高的密度。

在具有上述結構的顯示裝置中，通過使用氨氣的化學氣相沉積方法形成的氮化硅膜被用作保護膜，因此從發光器件發出的藍光從保護膜一側被射出而不會被削弱。此外，構成保護膜的表層的氮化硅膜具有比下一層的密度更高的密度，從而改善了密封特性。另一方面，較低氮化硅膜具有比較高層的密度更低的密度。這樣的低密度膜主要通過氣相反應來形成，因此具有良好的側壁階梯覆蓋。因此，發光器件被具有良好的密封特性以及良好的側壁階梯覆蓋的保護膜所保護。此外，因為保護膜的表層由高密度氮化硅膜(即，主要通過表面反應而形成的膜)構成，所以與在主要以較高沉積速率進行氣相反應的條件下終止膜沉積的情況相比較而言，可以防止雜質黏附于表面。

如上所述，本發明的顯示裝置具有良好的密封特性以及良好的側壁階梯覆蓋，并且能夠通過沒有任何雜質黏附于膜表面的保護膜來保護發光器件，從而防止發光器件的特性下降以及暗點的出現，并且維持由從保護膜一側射出的輻射光決定的良好的顯示特性。

附圖說明