[發明專利]微復制型微陣列

無效

• 申請號: 200680046313.4
• 申請日: 2006-12-06
• 公開（公告）號: CN101326438A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 庫爾特·J·霍爾沃森;馬克·F·舒爾茨;杰拉爾德·K·拉斯穆森;保羅·D·格雷厄姆
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: G01N33/48
• 分類號: G01N33/48
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郭國清;樊衛民

1.一種微陣列，其包括微結構化表面和設置在所述微結構化表面的至少一部分上的附連化學層，所述微結構化表面包含具有壁的主要微結構化元件。

2.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述附連化學層為所述微結構化表面上的涂層。

3.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述附連化學層為所述微結構化表面上的官能化部分。

4.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述微結構化表面包含聚烯烴。

5.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述壁具有介于約1和約50微米之間的厚度。

6.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述壁具有介于約5和約200微米之間的高度。

7.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述主要微結構化元件的間距介于約1和約1,000微米之間。

8.根據權利要求7所述的微陣列，其中所述主要微結構化元件的間距介于約20和約200微米之間。

9.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述主要微結構化元件具有介于約1至約20,000pL之間的體積。

10.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述主要微結構化元件為立方體元件。

11.根據權利要求1所述的微陣列，其中基礎表面在所述主要微結構化元件的壁之間延伸，并且所述基礎包含具有x-方向維度的次要微結構化元件。

12.根據權利要求11所述的微陣列，其中所述次要微結構化元件的x-方向維度比所述主要微結構化元件的壁的高度小至少約5微米。

13.根據權利要求12所述的微陣列，其中所述次要微結構化元件的x-方向維度比所述主要微結構化元件的壁的高度小至少約50微米。

14.根據權利要求11所述的微陣列，其中所述次要微結構化元件從一個壁延伸至第二個壁。

15.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述附連化學層包含連接試劑。

16.根據權利要求15所述的微陣列，其中所述連接試劑包含吖內酯部分。

17.根據權利要求1所述微陣列，其中所述附連化學層包含含有至少一種吖內酯官能共聚物的交聯水凝膠。

18.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述附連化學層具有離子表面。

19.根據權利要求18所述的微陣列，其中所述附連化學層包含一種或多種離子聚合物、包括水解吖內酯部分的水凝膠、連接到水凝膠上的雙官能分子、或具有一種或多種離子聚合物外敷層的水凝膠。

20.根據權利要求1所述的微陣列，其中所述附連化學層為含硅層。

21.根據權利要求20所述微陣列，其中所述附連化學層能夠甲基硅烷化，使得連接試劑可以被共價地鍵接至所述附連化學層。

22.根據權利要求20所述的微陣列，其中將所述含硅層用偶聯劑或用官能化的聚合物涂層進行官能化。

23.根據權利要求20所述的微陣列，其中所述附連化學層為類金剛石玻璃膜。