[發(fā)明專利]改進(jìn)的高壓電容器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680046116.2 | 申請(qǐng)日: | 2006-06-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101523528A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·巴爾蒂圖德;J·江;J·羅杰斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 維莎斯普拉格公司 |
| 主分類號(hào): | H01G4/06 | 分類號(hào): | H01G4/06 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 鄔少俊;王 英 |
| 地址: | 美國(guó)賓*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改進(jìn) 高壓 電容器 | ||
背景技術(shù)
多層陶瓷電容器通常具有交替的陶瓷電介質(zhì)材料層和導(dǎo)電電極層。可 以使用各種類型的電介質(zhì)材料,并且已經(jīng)使用了各種物理構(gòu)造。利用“串 聯(lián)設(shè)計(jì)”生產(chǎn)高壓性能的電容器已經(jīng)很多年了。在串聯(lián)設(shè)計(jì)中,在浮置電 極和連接到兩側(cè)端子的電極之間存儲(chǔ)電荷,如圖1針對(duì)單個(gè)浮置電極的設(shè) 計(jì)所示。這與圖2所示的標(biāo)準(zhǔn)電容器設(shè)計(jì)相比有所不同,在標(biāo)準(zhǔn)電容器設(shè) 計(jì)中,電極交替連接到不同的端子,且電荷存儲(chǔ)在這些電極之間。這些設(shè) 計(jì)的電容由下式給出:
其中C=電容,F(xiàn)
=自由空間的介電常數(shù)=8.854×10-12Fm-1
=陶瓷材料的介電常數(shù),為取決于材料的無(wú)量綱常數(shù)
A=電極的有效重疊面積,m2
N=電極數(shù)-1
T=分隔各層的陶瓷的燒結(jié)后活性厚度
然而,對(duì)于串聯(lián)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),有效重疊面積顯著減小。串聯(lián)設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn) 是對(duì)于單個(gè)浮置電極而言作用于電極的內(nèi)電壓減半。可以進(jìn)一步分隔浮置 電極以便為每層賦予不止一個(gè)浮置電極,但這也減小了有效重疊面積,從 而減小了電容。圖3示出了27批外殼尺寸1812MLCC、47nF±10%標(biāo)準(zhǔn)設(shè) 計(jì)以及同樣批數(shù)的外殼尺寸1812、22nF±10%單浮置電極串聯(lián)設(shè)計(jì)的平均 擊穿電壓(n=50)。在所有這些情況下,分隔電極的燒結(jié)活性厚度(fired?active? thickness)為0.0023″,即58微米,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的總厚度為0.051±0.003″(1.30 ±0.08mm),串聯(lián)電容器的總厚度為0.068±0.003″(1.73±0.08mm)。對(duì)于 所有這些1812外殼尺寸的電容器而言,長(zhǎng)度和寬度尺寸分別為0.177± 0.010″(4.50±0.25mm)和0.126±0.008″(3.20±0.20mm)。分別在圖4和 5中示出了1812標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)和單電極串聯(lián)設(shè)計(jì)的截面。
除了這些MLCC的耐內(nèi)電壓的能力之外,這些部件對(duì)來(lái)自電容器端子 的弧絡(luò)(arc-over)有抵抗力也很關(guān)鍵。McLarney的美國(guó)專利No.4731697 公開了一種表面電極,其邊緣部分被另一電介質(zhì)層覆蓋,以防止需要進(jìn)行 激光微調(diào)的弧絡(luò)。然而,重要的是要注意暴露的電極會(huì)被腐蝕。而且,暴 露電極的特性受環(huán)境因素(例如濕度)的影響很大,從而限制可以使用這 些電容器的應(yīng)用。
Duva的美國(guó)專利No.6627509公開了一種通過(guò)以下方式制造抗表面閃 絡(luò)(surface?flashover)的電容器的方法:向多層陶瓷電容器的表面施加聚對(duì) 二甲苯涂層,隨后從端子修整過(guò)剩材料。在這種情況下,與電容器涂層相 關(guān)的成本很高。此外,該涂層可能不和電路板組裝工藝兼容,而且在諸如 衛(wèi)星的一些電子應(yīng)用中,因?yàn)闈B氣問(wèn)題而使有機(jī)涂層的存在受到限制。
因此,盡管為了制造具有高擊穿電壓的電容器并使弧絡(luò)的發(fā)生最小化 做出了各種努力,但問(wèn)題仍然存在。需要一種改進(jìn)的高壓電容器。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的主要目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是在目前工藝水平上做出改進(jìn)。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是提供一種抗弧絡(luò)的多層陶瓷電容器。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是提供一種在空氣中具有高擊穿電壓 的多層陶瓷電容器。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是提供一種其設(shè)計(jì)可以維持高電容的 多層陶瓷電容器。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是將在把電容器并入到電子電路中時(shí) 由于弧絡(luò)而發(fā)生的不希望的破壞降到最小。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是提供一種具有耐高壓能力、較小外 殼尺寸的電容器,其允許對(duì)電路進(jìn)行微型化。
本發(fā)明的另一目的、特征或優(yōu)點(diǎn)是提供一種改進(jìn)的電容器,可以方便 和經(jīng)濟(jì)地制造所述電容器。
通過(guò)以下說(shuō)明書和權(quán)利要求可以使本發(fā)明的這些和/或其他目的、特征 或優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)變得顯而易見。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于維莎斯普拉格公司,未經(jīng)維莎斯普拉格公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680046116.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





