[發明專利]用于形成光交聯固化的抗蝕劑下層膜的含有硅的抗蝕劑下層膜形成用組合物

有效

• 申請號: 200680045563.6
• 申請日: 2006-12-01
• 公開（公告）號: CN101322074A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 竹井敏;堀口有亮;橋本圭祐;中島誠
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種形成下層膜的組合物，是用于在半導體器件制造的光刻工序中 在被覆光致抗蝕劑前通過光照射形成在光致抗蝕劑的下層使用的下層膜 的組合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引發劑(B)和溶劑(C)，所述聚合 性化合物(A)含有5～45質量％的硅原子，

上述含有硅原子的聚合性化合物(A)是選自式(I)、式(II)所示的有機硅 化合物、它們各自的水解物、和它們各自的縮合物中的至少1種的含有硅 原子的聚合性化合物(A1)，

(R¹)_a(R³)_bSi(R²)_4-(a-b)????(I)

式中，R¹表示乙烯基，且R¹通過Si-C鍵與硅原子結合，R³表示烷基、 芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、或者具有巰基、氨基、或者氰基的有機基團， 且R³通過Si-C鍵與硅原子結合，R²表示鹵原子、或者碳原子數分別為1～ 8的烷氧基、烷氧基烷基或者烷氧基酰基，a為整數1，b為整數0、1或 者2，a+b為整數1、2或者3，

〔(R⁴)_cSi(R⁵)_3-c〕₂Y???????(II)

式中，R⁴表示環氧基、乙烯基或者含有它們的聚合性有機基團，且 R⁴通過Si-C鍵與硅原子結合，R⁵表示烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、 或者具有巰基、氨基、或者氰基的有機基團，且R⁵通過Si-C鍵與硅原子 結合，Y表示氧原子、亞甲基或者碳原子數為2～20的亞烷基，c為整數1 或者2。

2.如權利要求1所述的形成下層膜的組合物，上述聚合性化合物(A) 是具有至少一個能夠進行陽離子聚合的反應性基團的聚合性化合物，上述 光聚合引發劑(B)是光陽離子聚合引發劑。

3.如權利要求2所述的形成下層膜的組合物，上述能夠進行陽離子聚 合的反應性基團為環氧基。

4.如權利要求1所述的形成下層膜的組合物，上述聚合性化合物(A) 是具有至少一個能夠進行自由基聚合的烯屬不飽和鍵的聚合性化合物，上 述光聚合引發劑(B)是光自由基聚合引發劑。

5.如權利要求4所述的形成下層膜的組合物，上述烯屬不飽和鍵為乙 烯基。