[發(fā)明專利]MEMS開關(guān)觸點(diǎn)系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680045217.8 | 申請(qǐng)日： | 2006-10-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101322205A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬克·席爾默;約翰·狄克遜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 模擬設(shè)備公司 |
| 主分類號(hào)： | H01H1/00 | 分類號(hào)： | H01H1/00 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 孫志湧;陸錦華 |
| 地址： | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 開關(guān) 觸點(diǎn) 系統(tǒng) | ||
1.一種MEMS開關(guān)，包括：
第一觸點(diǎn)；和
第二觸點(diǎn)，其可相對(duì)于第一觸點(diǎn)移動(dòng)；
所述第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)中至少一個(gè)是導(dǎo)電的并且包括基于鉑系的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，其中所述基于鉑系的材料包括鉑系元素。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，其中所述基于鉑系的材料是基于鉑系的鈍化物。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，其中所述第一和第二觸點(diǎn)中的至少一個(gè)包括基于鉑系的元素和導(dǎo)電的鈍化物。
5.如權(quán)利要求4所述的MEMS開關(guān)，其中所述基于鉑系的元素包括釕，并且所述導(dǎo)電的鈍化物包括二氧化釕。
6.如權(quán)利要求1所述的MEMS開關(guān)，進(jìn)一步包括封裝，其包含所述MEMS開關(guān)的至少一部分，該封裝包括吸除位點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的MEMS開關(guān)，其中該封裝包括帽蓋，其具有支撐暴露的鉑系元素的內(nèi)部表面。
8.如權(quán)利要求6所述的MEMS開關(guān)，其中該封裝密封所述第一和第二觸點(diǎn)。
9.一種MEMS裝置，包括：
襯底；
第一觸點(diǎn)；和
具有第二觸點(diǎn)的可移動(dòng)構(gòu)件，其相對(duì)于所述襯底移動(dòng)，所述襯底支撐該可移動(dòng)構(gòu)件；
所述第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)中的至少一個(gè)具有導(dǎo)電的基于鉑系的材料，其在接觸另一個(gè)電觸點(diǎn)時(shí)提供電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的MEMS裝置，進(jìn)一步包括用于使所述可移動(dòng)構(gòu)件移動(dòng)到與所述第一觸點(diǎn)接觸的致動(dòng)器，該致動(dòng)器包括靜電致動(dòng)器、電磁致動(dòng)器或熱致動(dòng)器中的一種。
11.如權(quán)利要求9所述的MEMS裝置，其中所述基于鉑系的材料包括鉑系元素。
12.如權(quán)利要求9所述的MEMS裝置，進(jìn)一步包括支撐所述第一觸點(diǎn)的第一構(gòu)件，所述基于鉑系的材料是與所述第一構(gòu)件或所述可移動(dòng)構(gòu)件中一個(gè)直接接觸的基于鉑系的氧化物。
13.如權(quán)利要求9所述的MEMS裝置，其中所述第一和第二觸點(diǎn)中至少一個(gè)包括基于鉑系的元素和導(dǎo)電氧化物。
14.如權(quán)利要求9所述的MEMS裝置，進(jìn)一步包括封裝，其包含所述MEMS裝置至少一部分，該封裝具有氧吸除位點(diǎn)。
15.如權(quán)利要求14所述的MEMS裝置，其中所述氧吸除位點(diǎn)包括基于鉑系的元素。
16.一種MEMS開關(guān)，包括：
用于生成電觸點(diǎn)的第一裝置；和
用于生成電觸點(diǎn)的第二裝置，所述第二電觸點(diǎn)裝置能相對(duì)于所述第一電觸點(diǎn)裝置移動(dòng)；
所述第一電觸點(diǎn)裝置和第二電觸點(diǎn)裝置中的至少一個(gè)是導(dǎo)電的并且包括基于鉑系的材料。
17.如權(quán)利要求16所述的MEMS開關(guān)，進(jìn)一步包括用于吸除開關(guān)內(nèi)的氧的裝置。
18.如權(quán)利要求16所述的MEMS開關(guān)，其中所述第一和第二電觸點(diǎn)裝置每個(gè)包括電觸點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求16所述的MEMS開關(guān)，其中所述基于鉑系的材料包括基于鉑系的元素。
20.如權(quán)利要求19所述的MEMS開關(guān)，其中所述基于鉑系的材料進(jìn)一步包括導(dǎo)電的鈍化物。
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