[發(fā)明專利]結(jié)構(gòu)化發(fā)光轉(zhuǎn)換層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680045148.0 | 申請日: | 2006-05-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101322247A | 公開(公告)日: | 2008-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 迪爾克·貝爾本;安東尼阿迪斯·霍默;弗蘭克·耶爾曼;本亞明·克魯馬赫爾;諾溫·文·馬爾姆;馬丁·察豪 | 申請(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 蔡勝有;王春偉 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)構(gòu) 發(fā)光 轉(zhuǎn)換 | ||
1.一種電致發(fā)光裝置,包括:
光源,所述光源包含能夠至少部分透射出來自所述光源的光的透明 層;和
布置在所述透明層上的結(jié)構(gòu)化發(fā)光轉(zhuǎn)換層,所述結(jié)構(gòu)化發(fā)光轉(zhuǎn)換層 包括第一變色區(qū)域和不同于所述第一變色區(qū)域的第二區(qū)域,所述第一變 色區(qū)域吸收來自所述光源的具有第一光譜的光并發(fā)射具有第二光譜的 光,所述第二光譜和來自所述第二區(qū)域的光譜結(jié)合從而產(chǎn)生所述電致發(fā) 光裝置的總的輸出光譜,其中所述第二區(qū)域包括非變色區(qū)域,由穿過所 述第二區(qū)域的光所形成的來自所述第二區(qū)域的光譜是未吸收的第一光 譜,并且其中所述非變色區(qū)域是材料空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第二區(qū)域包括第二變色區(qū) 域,所述第二變色區(qū)域吸收具有至少部分所述第一光譜的光,并發(fā)射具 有不同于所述第一光譜和所述第二光譜的第三光譜的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一變色區(qū)域包含變色材 料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二變色區(qū)域包含變色材 料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述結(jié)構(gòu)化發(fā)光 轉(zhuǎn)換層包含變色材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的裝置,其中所述變色材料包含至少一種 染料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述染料或所述變色材料是熒光 和/或磷光材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述染料或所述變色材料是有機(jī) 物。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一或第二 變色區(qū)域包含至少一種以下材料:有機(jī)染料、無機(jī)染料、苝、香豆素、 鈰摻雜的石榴石、氮化物磷光體、離子性磷光體、熒光染料、量子點(diǎn)和 共軛聚合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求3至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述變色材料包 含選自包括以下的組中的至少一種材料:鈰摻雜的石榴石、正硅酸鹽、 氮化物、氧氮化物硅酸鹽、氮化物硅酸鹽、離子性磷光體、苝、香豆素、 量子點(diǎn)和共軛聚合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述變色材料包 括平均直徑d50最大為300納米的顆粒。
12.根據(jù)權(quán)利要求3至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述變色材料包 括平均直徑d50至少為1500納米的顆粒。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一變色區(qū) 域達(dá)到或超過光子飽和極限。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一變色區(qū) 域未達(dá)到光子飽和極限。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二變色區(qū)域達(dá)到或超過光 子飽和極限。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二變色區(qū)域未達(dá)到光子飽 和極限。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一變色區(qū) 域包含透明基體材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二變色區(qū)域包含透明基體 材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述結(jié)構(gòu)化發(fā)光 轉(zhuǎn)換層包含透明基體材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置,其中所述透明基體材料是硅氧烷、 環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯和聚碳酸酯中的至少一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述結(jié)構(gòu)化發(fā)光 轉(zhuǎn)換層物理和/或化學(xué)地附著于所述透明層。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一變色區(qū) 域和所述第二區(qū)域彼此相鄰并側(cè)向布置。
23.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的裝置,其中所述第一變色區(qū) 域被所述第二區(qū)域分隔。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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