[發明專利]Cu膜的形成方法

有效

• 申請號: 200680044745.1
• 申請日: 2006-12-04
• 公開（公告）號: CN101317251A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 吉濱知之;原田雅通;豐田聰;牛川治憲
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L23/52;H01L21/285
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司
• 代理人: 齊永紅

1、一種Cu膜的形成方法，其用濺射法在基板上形成作為擴散阻擋金屬膜 的Ti膜或Ta膜，用CVD法在該擴散阻擋金屬膜上形成Cu膜，其特征在 于：在該方法之中，在通過使前述擴散阻擋金屬膜上吸附含氮原子的氣體 形成含氮原子的分子層、用CVD法在該含氮原子的分子層上形成Cu膜之 后，以100～400℃進行退火處理。

2、根據權利要求1所述的Cu膜的形成方法，其特征在于：在進行前述退 火處理之后，用PVD法或電鍍法在前述Cu膜上再次形成Cu膜。

3、根據權利要求2所述的Cu膜的形成方法，其特征在于：在用前述PVD 法或電鍍法形成Cu膜之后，再次以100～400℃進行退火處理。

4、一種Cu膜的形成方法，其用濺射法在基板上形成作為擴散阻擋金屬膜 的Ti膜或Ta膜，用CVD法在該擴散阻擋金屬膜上形成Cu膜，其特征在 于：在該方法之中，在通過使前述擴散阻擋金屬膜上吸附含氮原子的氣體 形成含氮原子的分子層、用CVD法在該含氮原子的分子層上形成Cu膜之 后，用PVD法或電鍍法在該Cu膜上再次形成Cu膜，然后以100～400℃進 行退火處理。

5、根據權利要求1～4中任一項所述的Cu膜的形成方法，其特征在于：在 提供Ar氣狀態下形成前述擴散阻擋金屬膜。

6、根據權利要求1～4中任一項所述的Cu膜的形成方法，其特征在于：前 述含氮原子的氣體是N₂氣或NH₃氣，所形成的含氮原子的分子層是氮分子 層或NH₃分子層。

7、根據權利要求5所述的Cu膜的形成方法，其特征在于：前述含氮原子 的氣體是N₂氣或NH₃氣，所形成的含氮原子的分子層是氮分子層或NH₃分子層。