[發明專利]用于氣體分離的功能化無機膜

有效

• 申請號: 200680044556.4
• 申請日: 2006-09-11
• 公開（公告）號: CN101316648A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 顧佑宗;詹姆斯·A·拉德;詹尼弗·L·莫萊森;路易斯·A·希克;維德亞·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: B01D71/02
• 分類號: B01D71/02;B01D67/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 封新琴

1.一種多孔膜，其用于在高于200℃的溫度以高于克努森擴散選擇性的 選擇性從包含二氧化碳和氫氣的氣流中分離二氧化碳，所述多孔膜包括：

多孔支撐層，其包括氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯或穩定化的氧化鋯；

多孔分離層，其包括氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯或穩定化的氧化鋯， 其中所述多孔分離層設置在所述多孔支撐層的表面上；及

功能層，其包括可與所述氣流接觸以與氫氣相比優先傳輸二氧化碳的 陶瓷氧化物，其中所述功能層設置在所述多孔分離層的孔的表面上。

2.根據權利要求1的多孔膜，其中所述多孔分離層設置在所述多孔支 撐層內并至少部分地填充所述多孔支撐層的孔。

3.根據權利要求1的多孔膜，其中所述功能層是多孔的，且設置在所 述多孔分離層內并至少部分地填充所述多孔分離層的孔。

4.根據權利要求1的多孔膜，其中所述多孔分離層設置在所述多孔支 撐層的表面上，以及所述功能層是多孔的且設置在所述多孔分離層內并至 少部分地填充所述多孔分離層的孔。

5.根據權利要求1的多孔膜，其中所述多孔分離層設置在所述多孔支 撐層內并至少部分地填充所述多孔支撐層的孔；以及所述功能層設置在所 述多孔分離層的孔的表面上。

6.根據權利要求1的多孔膜，其中所述功能層包括MgO、CaO、SrO、 BaO、La₂O₃、CeO₂、TiO₂、HfO₂、Y₂O₃、VO_z、NbO_z、TaO_z、ATiO₃、AZrO₃、 AAl₂O₄、A¹FeO₃、A¹MnO₃、A¹CoO₃、A¹NiO₃、A²HfO₃、A³CeO₃、Li₂ZrO₃、 Li₂SiO₃、Li₂TiO₃、Li₂HfO₃、A⁴N¹_yO_z、Y_xN¹_yO_z、La_xN¹_yO_z、HfN²_yO_z，

其中A為La、Mg、Ca、Sr或Ba；

A₁為La、Ca、Sr或Ba；

A₂為Ca、Sr或Ba；

A³為Sr或Ba；

A⁴為Mg、Ca、Sr、Ba、Ti或Zr；

N¹為V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Si或Ge；

N²為V、Mo、W或Si；

x為1或2；

y為1～3；及

z為2～7。