[發(fā)明專利]金剛石電極，其制造方法，和電解池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680044105.0
• 申請日: 2006-10-25
• 公開（公告）號: CN101316951A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉田茂;吉田克仁;高橋利也;井口剛壽;樋口文章
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電工硬質(zhì)合金株式會社
• 主分類號: C25B11/03
• 分類號: C25B11/03;C23C16/27
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

1.一種金剛石電極(1，11)，其包含具有多個孔(4)的導(dǎo)電硅基材(2)；和覆蓋所述導(dǎo)電硅基材(2)的導(dǎo)電金剛石(3，12)，其中

所述多個孔(4)的內(nèi)壁表面相對于所述導(dǎo)電硅基材(2)的基材表面60°-85°的角度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(1)，其中

所述導(dǎo)電金剛石(3)覆蓋所述導(dǎo)電硅基材(2)的表面的至少90％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(11)，其中

所述導(dǎo)電金剛石(12)僅覆蓋所述導(dǎo)電硅基材(2)的一個表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(1，11)，其中

所述多個孔(4)具有錐形內(nèi)壁，并且所述孔在一個基材表面上的開口面積比所述孔在另一基材表面上的開口面積小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石電極(1，11)，其中

所述多個孔(4)的開口面積率在各基材表面上為3-80％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(1，11)，其中

在每一基材表面上的所述多個孔(4)的至少60％具有彼此相差不超過10％的開口面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(1，11)，其中

所述多個孔(4)的深徑比是0.2-3。

8.用于制造根據(jù)權(quán)利1所述的金剛石電極(1，11)的方法，

包括通過化學(xué)氣相沉積法用所述導(dǎo)電金剛石(3，12)覆蓋所述導(dǎo)電硅基材(2)的步驟。

9.一種電解池(31)，其包含：

陽離子交換膜(32)；

陽極(33)和陰極(34)，其被提供為分別與所述陽離子交換膜(32)的兩個表面緊密接觸；和

集電器(35，36)，其被提供為以電可輸送方式與所述陽極(33)和所述陰極(34)接觸，其中

至少所述陽極由根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極(1，11)組成，并且所述集電器(35，36)由允許電解質(zhì)滲透的導(dǎo)電非金屬組成。

10.一種電解池，其包含將該電解池分隔成兩個室的隔膜，以及分別在由所述隔膜分隔的第一室和第二室中提供的陽極和陰極，其中

所述陽極由根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石電極組成。