[發(fā)明專利]激光加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680044101.2 | 申請日: | 2006-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN101317250A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 村松憲一;坂本剛志 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B23K101/40;B23K26/10 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 加工 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種將加工對象物沿著切斷預定線切斷時所使用的激光加工方法。
背景技術
以往的此種激光加工方法有,例如在真空卡盤的吸附平臺上,直接對保持著晶片狀加工對象物的可擴展的保持部件(擴張帶等)加以吸附固定,將聚光點對準加工對象物的內部進行激光照射,由此沿著切斷預定線在加工對象物的內部形成改質區(qū)域的激光加工方法(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本專利特開2004-179302號公報
發(fā)明內容
然而,上述激光加工方法恐怕會有下述問題產(chǎn)生。即,在吸附平臺上,因為是「直接」吸附固定著保持部件,所以保持部件會陷入吸附平臺的微細孔,在形成改質區(qū)域后即使解除吸附固定,但保持部件還是緊貼在吸附平臺上。在如此狀態(tài)下若強行分開吸附平臺和保持部件,則會有大的彎曲應力作用在保持部件所保持的加工對象物上,導致以改質區(qū)域為切斷起點沿著切斷預定線切斷加工對象物。此時,因保持部件并未擴展,所以被切斷的加工對象物的切斷面彼此互相磨擦,成為微粒產(chǎn)生的原因。
因此,本發(fā)明是有鑒于上述情況所為的發(fā)明,目的在于提供一種在使吸附平臺和保持部件分開時,可防止以改質區(qū)域為切斷起點沿著切斷預定線切斷加工對象物的激光加工方法。
為達成上述目的,本發(fā)明的激光加工方法,其特征在于,具備有下述工序,在真空卡盤的吸附平臺上,隔著多孔質薄片對保持有晶片狀加工對象物的保持部件進行吸附固定,將聚光點對準在加工對象物的內部并照射激光,由此沿著加工對象物的切斷預定線,在加工對象物的內部形成成為切斷起點的改質區(qū)域,薄片的楊氏模數(shù)比吸附平臺的楊氏模數(shù)低。
在該激光加工方法中,在真空卡盤的吸附平臺上隔著多孔質薄片,對保持有晶片狀的加工對象物的保持部件進行吸附固定。此時,因薄片的楊氏模數(shù)比吸附平臺的楊氏模數(shù)低,所以與直接將保持部件吸附固定在吸附平臺上的情況相比,能夠抑制保持部件陷入薄片的微細孔。從而,在形成改質區(qū)域后即使解除吸附固定,將吸附平臺和保持部件分開,也不會有大的彎曲應力作用在由保持部件所保持的加工對象物上。因此,根據(jù)該激光加工方法,在將吸附平臺和保持部件分離時,可防止以改質區(qū)域為切斷起點沿著切斷預定線切斷加工對象物。而且,在薄片下,存在著楊氏模數(shù)較高的吸附平臺,因此,在吸附固定保持部件時能夠維持加工對象物的平坦度,能夠精度良好地將改質區(qū)域形成在加工對象物內部。
另外,通過將聚光點對準加工對象物的內部并照射激光,并在加工對象物的內部產(chǎn)生多光子吸收以外的光吸收,從而形成了作為切斷起點的改質區(qū)域。
在本發(fā)明的激光加工方法中優(yōu)選,薄片的磨擦系數(shù)比吸附平臺的磨擦系數(shù)低。從而,與直接將保持部件吸附固定在吸附平臺上的情況相比,能夠更進一步抑制保持部件陷入薄片的微細孔。
在本發(fā)明的激光加工方法中優(yōu)選,薄片的厚度是以0.2mm以下。當薄片的厚度為0.2mm以下時,能夠更確實維持保持部件被吸附固定時的加工對象物的平坦度。
在本發(fā)明的激光加工方法中優(yōu)選,薄片對激光的光吸收系數(shù)比吸附平臺的光吸收系數(shù)低。此外優(yōu)選,薄片對激光的透過率比吸附平臺的透過率高。另外優(yōu)選,薄片對激光的反射率比吸附平臺的反射率高。根據(jù)上述條件時,與吸附平臺相比,因激光照射所造成的薄片溫度的上升較小,所以能夠防止薄片所接觸的保持部件受到熔融等損傷。
本發(fā)明的激光加工方法優(yōu)選為,在形成改質區(qū)域的工序之后,還具備下述工序,通過使保持部件擴展,以改質區(qū)域為切斷的起點而沿著切斷預定線對加工對象物進行切斷。由此,能夠精度良好地沿著切斷預定線對加工對象物進行切斷,同時可使切斷后的加工對象物的切斷面彼此分開,能夠防止因切斷面彼此互相磨擦造成微粒的產(chǎn)生。
在本發(fā)明的激光加工方法中,還存在,在形成改質區(qū)域的工序之后,薄片安裝在吸附平臺上的情況。另外還存在,在形成改質區(qū)域的工序之后,薄片安裝在保持部件上,并在切斷加工對象物的工序之后,從保持部件上卸下的情況。另外還存在,在形成改質區(qū)域的工序之后,薄片安裝在保持部件上,并在切斷加工對象物的工序之前,從保持部件上卸下的情況。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,在將吸附平臺和保持部件分開時,能夠防止以改質區(qū)域為切斷起點沿著切斷預定線切斷加工對象物。
附圖說明
圖1為基于本實施方式的激光加工方法的激光加工中的加工對象物平面圖。
圖2為圖1所示加工對象物II-II剖線剖面圖。
圖3為基于本實施方式的激光加工方法的激光加工后的加工對象物平面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





