[發明專利]制造微機電元件的方法以及該微機電元件

有效

• 申請號: 200680044020.2
• 申請日: 2006-11-21
• 公開（公告）號: CN101312904A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 海基·庫斯瑪;伊日·涅米斯托
• 申請（專利權）人: VTI技術有限公司
• 主分類號: B81C3/00
• 分類號: B81C3/00;B81B7/02;G01P15/18;G01P3/00;G01C19/56;G01C25/00;G01C17/38;G01L9/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 褚海英;陳桂香

1.一種制造微機電元件的方法，在所述方法中，微機電芯片部件(46、 60)由覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)密封，所述覆蓋部件(24、28、 33、41、47、48)包含用于穿過所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48) 提供電連接的引入結構，其特征在于，

-在由所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微機電芯 片部件(46、60)的頂上，附著一個或逐層附著多個電子電路部件(63、78、 83)，

-在每個所述電子電路部件(63、78、83)的頂上制造覆蓋所述電子電 路部件的介電層(65、79、84)，在覆蓋所述電子電路部件的所述介電層(65、 79、84)中制造引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所 述覆蓋部件的外部接觸區(49-52、53、55、57、59、61)以及所述電子電 路部件(63、78、83)，

-在最頂層的所述電子電路部件(63、83)的表面上制造用于所述微機 電元件的外部連接的結合部件(73-77、92-96)，

其中，在所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)的頂面上制造第一 介電層(62)，在將所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)附著于所述 微機電芯片部件(46、60)之前或之后，在所述覆蓋部件(24、28、33、41、 47、48)的頂面與在所述覆蓋部件的頂面上制造的所述第一介電層(62)之 間制造包括所述覆蓋部件的外部接觸區(49-52、53、55、57、59、61)的 重分布層。

2.根據權利要求1所述的制造微機電元件的方法，其特征在于，所述 覆蓋部件(24)主要由玻璃制成，從而，在所述覆蓋部件(24)中延伸的提 供電連接的引入結構(25-27)由硅制成。

3.根據權利要求1所述的制造微機電元件的方法，其特征在于，所述 覆蓋部件(28)主要由硅制成，并且在所述覆蓋部件(28)中制造玻璃絕緣 體(32)，從而，在所述覆蓋部件(28)中，穿過所述玻璃絕緣體(32)延 伸的提供電連接的引入結構(29-31)由硅制成。

4.根據權利要求1所述的制造微機電元件的方法，其特征在于，所述 覆蓋部件(33)主要由硅制成，并且在所述覆蓋部件(33)中制造玻璃絕緣 體(37-40)，從而，所述覆蓋部件(33)被分為帶狀的提供電連接的引入結 構(34-36)。

5.根據權利要求1所述的制造微機電元件的方法，其特征在于，所述 覆蓋部件(41)主要由硅制成，并且在所述覆蓋部件(41)中制造玻璃絕緣 體(45)，從而，所述覆蓋部件(41)被分為孤立的提供電連接的引入結構 (42-44)。

6.根據前述權利要求2-5中任一項所述的制造微機電元件的方法，其 特征在于，如權利要求2所述的覆蓋部件(24)或者如權利要求3-5中任一 項所述的玻璃絕緣體(32、37-40、45)由其它一些已知的介電材料替代玻 璃制成。

7.根據前述權利要求2-5中任一項所述的制造微機電元件的方法，其 特征在于，如權利要求3-5中任一項所述的覆蓋部件(28、33、41)或者如 權利要求2所述的提供電連接的引入結構(25-27)由其它一些已知的導電 材料替代硅制成。

8.根據前述權利要求1-5中任一項所述的制造微機電元件的方法，其 特征在于，所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)的提供電連接的引入 結構與所述微機電芯片部件(46、60)之間的電連接的形成通過直接結合實 現。

9.根據前述權利要求6所述的制造微機電元件的方法，其特征在于， 所述覆蓋部件(24、28、33、41、47、48)的提供電連接的引入結構與所述 微機電芯片部件(46、60)之間的電連接的形成通過直接結合實現。