[發明專利]用于在化學氣相沉積－反應器中沉積涂層的方法及用于化學氣相沉積－反應器的進氣裝置

有效

• 申請號: 200680043644.2
• 申請日: 2006-11-21
• 公開（公告）號: CN101313086A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 約翰尼斯·凱普勒
• 申請（專利權）人: 艾克斯特朗股份公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 侯宇

1.一種用于在一個或多個襯底上涂覆涂層的方法，所述涂層的成分以至少兩種氣體的形式借助于一進氣裝置導入一工藝過程腔室(7)中，其中，所述至少兩種氣體分別被引入所述進氣裝置的、上下疊置的腔室(1，2)中，并從那兒通過連通至所述工藝過程腔室(7)的氣體出孔(3，4)進入該工藝過程腔室(7)，其特征在于，由于兩個腔室(1，2)中的每個各分為至少兩個基本上全等地疊置的隔間(1a，1b；2a，2b)，所述兩種過程氣體沿周向相互分開地進入所述工藝過程腔室，使得環形地布置在形成所述工藝過程腔室(7)的底部的襯底支架(9)上的襯底(10)由于所述襯底支架(9)圍繞其軸線(9)的轉動依次暴露在不同的過程氣體中。

2.按權利要求1所述的方法，其特征在于，分別僅僅給不疊置的隔間(1a，2b)供應過程氣體，而給其余隔間(1b，2a)供應吹洗用氣體。

3.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于，沿周向在所述被供應過程氣體的隔間(1a，2b，1c，2d)之間設置供應吹洗用氣體的隔間(1e，1f，1g，1h)，用于從所述進氣裝置的底側流出所述吹洗用氣體。

4.一種CVD-反應器的進氣裝置，該進氣裝置帶有至少兩個疊置的腔室(1，2)，分別從該至少兩個疊置的腔室(1，2)下面的壁(5，6)處開始引出氣體流出孔(3，4)，所述氣體流出孔連接至所述工藝過程腔室(7)，用于向所述腔室(7)輸送分別借助于一導管(11，12)導入所述腔室(1，2)的過程氣體，所述工藝過程腔室的底部由一個可驅動轉動的襯底支架(9)形成，其特征在于，所述至少兩個腔室(1，2)中的每個各分為至少兩個隔間(1a，1b；2a，2b)，并且，各腔室(1，2)的各隔間(1a，1b；2a，2b)基本上全等地疊置，并且分別具有相配屬的導管(11a，11b；12a，12b)。

5.按權利要求4所述的進氣裝置，其特征在于，在所述各隔間(1a，1b；2a，2b)之間的分隔區域內設置吹洗用氣體出孔。

6.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，所述襯底(10)環狀地圍繞所述旋轉對稱的襯底支架(9)的中心(9’)設置。

7.按權利要求4或5所述進氣裝置，其特征在于，所述腔室(1，2)行星狀或十字狀地分為多個隔間(1a-1i；2a-2i)。

8.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，一中間隔間(1i，2i)被用于有選擇地輸送過程氣體或吹洗用氣體。

9.按權利要求4或5所述進氣裝置，其特征在于，多個沿周向分布設置的隔間(1a-1h；2a-2h)要么用于向所述工藝過程腔室(7)中輸送吹洗用氣體，要么用于向所述工藝過程腔室(7)中輸送過程氣體。

10.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，將所述各隔間(1a-1i；2a-2i)氣密地相互分隔的分隔壁(13，14)上下對齊地設置。

11.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于一設置在所述腔室(1，2)下面的冷卻劑腔(15)，其底部(8)形成所述進氣裝置的底側。

12.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，所述氣體流出孔(3，4)是通道，所述通道連接至所述出氣裝置的、形成所述工藝過程腔室(7)的蓋板的底側(8)。

13.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，所述氣體流出孔(3，4)是伸入所述工藝過程腔室(7)的進氣裝置的、上下疊置的圓周孔。

14.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，在所述各隔間(1a，1b，2a，2b)的氣體流出孔(3，4)之間設置有吹洗用氣體導管(18)的流出孔(20)。

15.按權利要求4或5所述的進氣裝置，其特征在于，有一氣體混合裝置，該氣體混合裝置具有用于第一種過程氣體的第一氣體定量裝置(H₁，H₂)和用于第二種過程氣體的第二氣體定量裝置(MO₁，MO₂)，以及還有一切換閥裝置(16，17)，通過所述切換閥裝置要么向各腔室(1，2)的所有隔間(1a-1i；2a-2i)供應相同的過程氣體，要么僅分別選擇向不相疊的隔間(1a-1i；2a-2i)供應所配屬的過程氣體。

16.一種CVD-反應器，其具有按權利要求4至15之一所述的進氣裝置和一氣體混合裝置，后者要么向每個腔室(1，2)的所有隔間(1a-1i；2a-2i)供應相同的過程氣體，要么分別僅選擇向不相疊的隔間(1a-1i；2a-2i)供應各腔室所配屬的過程氣體，該CVD-反應器還具有一設置在所述進氣裝置下面的襯底支架(9)，該襯底支架可圍繞一中心軸線轉動。