[發(fā)明專利]用于小裝置的保護(hù)隔層有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680043195.1 | 申請(qǐng)日: | 2006-09-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101313128A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 克里斯多夫·哈里森;奧利弗·C·穆林斯;奧利維爾·凡高文伯基;艾里克·P·冬塞爾;知見(jiàn)寺明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 普拉德研究及開(kāi)發(fā)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | E21B47/10 | 分類號(hào): | E21B47/10;E21B47/01;E21B49/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 英屬維爾京*** | 國(guó)省代碼: | 維爾京群島;VG |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 裝置 保護(hù) 隔層 | ||
1.一種井下流體分析系統(tǒng),包括:
小裝置,所述小裝置適于井下使用,以測(cè)量與所述小裝置接觸的流動(dòng) 流體的性能,其中,所述小裝置為由基片材料微機(jī)械加工的集成裝置;以 及
保護(hù)隔層,所述保護(hù)隔層用于針對(duì)流體保護(hù)所述小裝置,其中所述保 護(hù)隔層包括在所述小裝置上的兩層或多于兩層的涂層,且
所述保護(hù)隔層至少包括氧化鉭的第一層以及氮化鈦的第二層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的井下流體分析系統(tǒng),其中
氧化鉭層防止腐蝕,而氮化鈦層防止侵蝕,且氮化鈦層在氧化鉭層上 方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的井下流體分析系統(tǒng),其中
所述保護(hù)隔層進(jìn)一步包括:
在氮化鈦層上方的防粘附層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的井下流體分析系統(tǒng),其中
所述保護(hù)隔層進(jìn)一步包括:
作為小裝置上的外層的防粘附層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的井下流體分析系統(tǒng),進(jìn)一步包括擋板裝置, 所述擋板裝置將載有微粒的流動(dòng)偏轉(zhuǎn)以遠(yuǎn)離所述小裝置。
6.一種井下流體分析系統(tǒng),包括:
小裝置,所述小裝置適于井下使用,以測(cè)量與所述小裝置接觸的流動(dòng) 流體的性能,其中,所述小裝置為由基片材料微機(jī)械加工的集成裝置;以 及
保護(hù)隔層,所述保護(hù)隔層用于針對(duì)流體保護(hù)所述小裝置,其中所述保 護(hù)隔層包括擋板裝置,所述擋板裝置將載有微粒的流動(dòng)偏轉(zhuǎn)以遠(yuǎn)離所述小 裝置,且其中所述保護(hù)隔層進(jìn)一步包括:
在所述小裝置上用于防止所述小裝置腐蝕的氧化鉭層和在所述小裝 置上用于防止所述小裝置侵蝕的氮化鈦層,且所述氮化鈦層在所述氧化鉭 層上方。
7.一種利用微機(jī)電系統(tǒng)裝置感測(cè)井下流體的方法,所述微機(jī)電系統(tǒng) 裝置具有彎曲板,所述方法包括如下步驟:
在適于在高溫和高壓條件下測(cè)量流體性質(zhì)的井下的微機(jī)電系統(tǒng)裝置 與井眼中的地下地層流體之間建立流體連通;
通過(guò)在所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上濺射氧化鉭的涂層,提供涂覆在井下的 所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上的第一保護(hù)隔層,所述第一保護(hù)隔層用于防止井下 的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置被地層流體腐蝕;
提供涂覆在井下的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上的第二保護(hù)隔層,用于防止 井下的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置被地層流體侵蝕;以及
將地下地層流體環(huán)繞所述彎曲板,使得當(dāng)彎曲板被驅(qū)動(dòng)時(shí),所述彎曲 板振動(dòng)并使地下地層流體移動(dòng)。
8.一種利用彎曲板微機(jī)電系統(tǒng)裝置感測(cè)井下流體的方法,所述彎曲 板微機(jī)電系統(tǒng)裝置具有平面件,所述平面件具有沿一側(cè)連接到其上的彎曲 板,所述方法包括如下步驟:
在適于在高溫和高壓條件下測(cè)量流體性質(zhì)的井下的微機(jī)電系統(tǒng)裝置 與井眼中的地下地層流體之間建立流體連通;
提供涂覆在井下的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上的第一保護(hù)隔層,所述第一 保護(hù)隔層用于防止井下的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置被地層流體腐蝕;
通過(guò)在所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上等離子氣相沉積氮化鈦涂層,提供涂覆 在井下的所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上的第二保護(hù)隔層,用于防止井下的所述微 機(jī)電系統(tǒng)裝置被地層流體侵蝕;以及
將地下地層流體環(huán)繞所述彎曲板,使得當(dāng)彎曲板被驅(qū)動(dòng)時(shí),所述彎曲 板振動(dòng)并使地下地層流體移動(dòng)。
9.一種適于感測(cè)井下流體的微機(jī)電系統(tǒng)裝置,適于井下使用,用于 測(cè)量與所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置接觸的流動(dòng)流體的性質(zhì),所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置 制造在平面件上,其中:
在所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置上設(shè)置有用于防止所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置被井 下流體腐蝕的第一保護(hù)涂層以及用于防止所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置被井下流 體侵蝕的第二保護(hù)涂層中的至少一個(gè)涂層,所述第一保護(hù)涂層和所述第二 保護(hù)涂層中的所述至少一個(gè)涂層的涂層厚度在0.01微米到100微米的范圍 之內(nèi),且所述涂層包括鈦的氧化物、碳化物和氮化物中的至少一種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于普拉德研究及開(kāi)發(fā)股份有限公司,未經(jīng)普拉德研究及開(kāi)發(fā)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680043195.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





