[發(fā)明專利]包括經(jīng)過表面處理的金屬氧化物顆粒的電介質媒質

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680043065.8
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN101310368A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 馬克·E·納皮耶臘拉
• 申請（專利權）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 郇春艷;郭國清

1.一種電子器件，其包括至少一個導電電極和鄰近所述電極的電介質層；其中所述電介質層包含聚合物基質以及分散在所述聚合物基質中的金屬氧化物顆粒；其中所述金屬氧化物顆粒具有與它們的表面共價鍵合的有機官能團，并且其中所述有機官能團未與所述聚合物基質共價鍵合。

2.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中用于形成所述金屬氧化物顆粒的金屬選自由下列物質組成的組：Ti、Y、Zr和Hf。

3.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中用于形成所述金屬氧化物顆粒的金屬包括Ti。

4.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中所述有機官能團的分子量是1000或以下，并且符合以下化學式：

(-O-)_xQ(-O-R¹)_y(-CH₂-R²)??(I)

其中Q為Si或P＝O；

其中每個R¹均獨立地選自由下列物質組成的組：氫、烷基和取代的烷基；

其中每個R²均獨立地選自由下列物質組成的組：氫、烷基、取代的烷基、烷氧基、取代的烷氧基；

其中當Q為Si時，x為1至3，y為0至2，和x+y＝3；

其中當Q為P＝O時，x為1至2，y為0至1，和x+y＝2；并且

其中開氧鍵與所述金屬氧化物顆粒的表面共價鍵合。

5.根據(jù)權利要求4所述的電子器件，其中Q為Si。?

6.根據(jù)權利要求5所述的電子器件，其中：

每個R¹均獨立地選自由下列物質組成的組：甲基和乙基；并且R²為-CH₂-(O-CH₂-CH₂-)_z-OCH₃，其中z為1至19。

7.根據(jù)權利要求4所述的電子器件，其中Q為P＝O。

8.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中所述聚合物基質為選自由下列物質組成的組的聚合物的基質：丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、苯乙烯、氟聚合物、乙烯醇和乙酸酯。

9.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中所述聚合物基質是交聯(lián)的。

10.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中所述電子器件為晶體管。

11.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中所述電子器件為電容器。

12.一種電子器件，其包括至少一個導電電極和鄰近所述電極的電介質層；其中所述電介質層包含聚合物基質以及分散在所述聚合物基質中的SiO₂顆粒；其中所述SiO₂顆粒具有與它們的表面共價鍵合的有機官能團，并且其中所述有機官能團未與所述聚合物基質共價鍵合。

13.根據(jù)權利要求12所述的電子器件，其中所述有機官能團的分子量是1000或以下，并且符合以下化學式：

(-O-)_xQ(-O-R¹)_y(-CH₂-R²)??(I)?

其中Q為Si或P＝O；

其中每個R¹均獨立地選自由下列物質組成的組：氫、烷基和取代的烷基；

其中每個R²均獨立地選自由下列物質組成的組：氫、烷基、取代的烷基、烷氧基、取代的烷氧基；

其中當Q為Si時，x為1至3，y為0至2，和x+y＝3；

其中當Q為P＝O時，x為1至2，y為0至1，和x+y＝2；并且

其中開氧鍵與所述SiO₂顆粒的表面共價鍵合。

14.根據(jù)權利要求13所述的電子器件，其中Q為Si。