[發明專利]非接觸型IC卡無效
| 申請號: | 200680042970.1 | 申請日: | 2006-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN101310293A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發明(設計)人: | 藤田實;大澤晴彥;對尾元;南云彰子 | 申請(專利權)人: | 共同印刷株式會社 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077;B42D15/10;G06K19/07;G06K19/073;G06K19/08 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇;陳立航 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 ic | ||
技術領域
本發明涉及非接觸型IC卡,并且更具體地,涉及這樣的非接觸型IC卡,該非接觸型IC卡包括設置在卡基件的至少一個表面上的磁記錄層、金屬反射層和全息圖層,以及嵌入卡基件中的IC芯片和通信天線,從而能夠以非接觸方式發送和接收數據。
背景技術
隨著近年來卡技術的發展,作為在各種通信系統中使用的信息記錄介質,存在可用于各種用途的IC卡。IC卡分為兩類:可通過與專用設備接觸來寫入和讀出信息的接觸型IC卡,以及可僅通過靠近專用設備來寫入和讀出信息的非接觸型IC卡。
由于與包括磁記錄層的磁卡相比,這些IC卡具有更高的安全性和能夠寫入的更大的信息量,因而僅一張IC卡即可用于多種用途。因此,對于工業用途,正在增加IC卡的普及。
特別地,當寫入和讀出信息時,非接觸型IC卡不需要插入專用設備,并可以進行簡單處理。因此,對于工業用途,正在普及非接觸型IC卡。
另外,由于還提供包括磁條等磁記錄層的IC卡,因而對于使用基于傳統的磁記錄層的通信系統和基于IC芯片的通信系統,可以只需1張IC卡。
同時,作為在本發明之前提交的技術文獻,有一篇文獻公開了一種帶有磁條的塑料卡,其中在使用通過對磁記錄層進行全息圖處理所形成的全息圖來提供視覺效果的同時,該塑料卡可以通過使用磁記錄層來進行功能信息處理(例如,參見專利文獻1)。
目前,為了能夠如在專利文獻1中公開的帶有磁條的塑料卡一樣,在使用全息圖提供視覺效果的同時,進行功能信息處理,已經嘗試將進行了全息圖處理的磁記錄層應用于非接觸型IC卡。
然而,當對使用進行了全息圖處理的磁記錄層的非接觸型IC卡進行由“JIS?X?6305-6:2001(ISO/IEC?10373-6:2001)”或“JISX?6305-7:2001(ISO/IEC?10373-7:2001)”所規定的靜電測試,并對進行了全息圖處理的磁記錄層進行靜電放電時,放電電流從進行了全息圖處理的磁記錄層流入嵌入非接觸型IC卡中的天線。最終,該放電電流流入與天線連接的IC芯片,從而發生IC芯片的靜電放電損傷。
另外,作為在本發明之前提交的技術文獻,有一篇文獻公開了一種包括透明/不透明型可逆式熱記錄層的非接觸型IC卡。包括絕緣性金屬光澤反射層的透明/不透明型可逆式熱記錄層設置在嵌有IC模塊的非接觸型IC卡的至少一個表面上,該絕緣性金屬光澤反射層由島狀錫沉積形成,并且不失去天線或線圈的多用性(例如,參見專利文獻2)。
另外,有一篇文獻公開了一種IC卡,其中,反射性薄膜層設置在全息圖或衍射柵格圖譜的結構的至少一部分上,并且該結構以層疊狀態設置在IC模塊處。對于該反射性薄膜層,使用配置成島狀并相互絕緣的金屬薄膜,從而可以避免對IC芯片的電氣特性的惡劣影響(例如,參見專利文獻3)。
專利文獻1:日本專利3198183
專利文獻2:日本特開平11-353442
專利文獻3:日本特開平11-353447
發明內容
發明要解決的問題
同時,專利文獻2公開了一種具有透明/不透明型可逆式熱記錄層的非接觸型IC卡,其中絕緣性金屬光澤反射層由島狀錫沉積形成,并且不失去天線或線圈的多用性。然而,在專利文獻2中沒有考慮當將進行了全息圖處理的磁記錄層應用于非接觸型IC卡時發生的IC芯片的靜電放電損傷。
另外,在專利文獻3中,對于反射性薄膜層,使用配置成島狀并相互絕緣的金屬薄膜,從而可以避免對IC芯片的電氣特性的惡劣影響。然而,與專利文獻2相同,在專利文獻3中沒有考慮當將進行了全息圖處理的磁記錄層應用于非接觸型IC卡時發生的IC芯片的靜電放電損傷。
解決問題的手段
本發明是為了解決上述問題而做出的,并且本發明的典型目的是提供一種非接觸型IC卡,其至少包括依次層疊在卡基件上的磁記錄層、金屬反射層和全息圖層,以及嵌入卡基件中的天線和與該天線連接的IC芯片,從而防止嵌入該非接觸型IC卡中的IC芯片的靜電放電損傷。
為了實現上述典型目的,本發明包括以下特征。
根據本發明的第一典型方面,一種非接觸型IC卡至少包括依次層疊在卡基件上的磁記錄層、金屬反射層和全息圖層,以及嵌入卡基件中的天線和與該天線連接的IC芯片。金屬反射層由電導率小于28.9×106/Ωm的材料制成。
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