[發(fā)明專利]用來制作雙波紋結(jié)構(gòu)的光掩模及其形成方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680041605.9
• 申請(qǐng)日: 2006-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN101505974A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·S·麥唐納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凸版光掩膜公司
• 主分類號(hào): B44C1/22
• 分類號(hào): B44C1/22;C23F1/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;陳景峻

1.一種用來制造多層步進(jìn)和閃光壓印光刻(SFIL)模板的方法，包括：

提供包括襯底、吸收層、和第一抗蝕劑層的坯件；

利用光刻系統(tǒng)在襯底中第一深度處形成雙波紋結(jié)構(gòu)的金屬層圖案；

從所述坯件除去第一抗蝕劑層；

在所述坯件上增加第二抗蝕劑層；以及

在同時(shí)形成第二深度處的金屬層圖案時(shí)利用光刻系統(tǒng)在第一深度處形成雙波紋結(jié)構(gòu)的通路層圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中利用光刻系統(tǒng)形成金屬層圖案包括：

利用光刻系統(tǒng)在第一抗蝕劑層中形成金屬層圖案以暴露部分吸收層；

刻蝕吸收層的暴露部分以暴露部分襯底；以及

刻蝕襯底的暴露部分以在襯底中形成金屬圖案。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中吸收層可用來在刻蝕所述部分襯底期間提供刻蝕停。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中利用光刻系統(tǒng)形成通路層圖案包括：

利用光刻系統(tǒng)在第二抗蝕劑層中形成通路層圖案以暴露部分吸收層；

刻蝕吸收層的暴露部分以暴露部分襯底；以及

刻蝕襯底的暴露部分以在襯底中形成通路圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中吸收層可用來在刻蝕所述部分襯底期間提供刻蝕停。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中第二抗蝕劑層可用來在刻蝕吸收層的暴露部分期間提供刻蝕停。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中吸收層可用來在襯底中形成金屬層圖案期間提供第一刻蝕停。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中吸收層可用來在襯底中形成通路層圖案期間提供第二刻蝕停。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第二深度比第一深度大大約兩倍。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二深度在大約10nm和大約50nm之間。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二深度在大約50nm和大約100nm之間。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二深度在大約100nm和大約500nm之間。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二深度在大約500nm和大約2000nm之間。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括選自包括石英、合成石英、熔融硅石、氟化鎂、氟化鈣的組的材料。

15.一種用來制造多層步進(jìn)和閃光壓印光刻(SFIL)模板的方法，包括：

提供包括襯底、吸收層和第一抗蝕劑層的坯件，所述第一抗蝕劑層包括形成在其中的第一圖案以暴露所述吸收層的第一部分；

刻蝕吸收層的暴露的第一部分以暴露襯底的第一部分；

刻蝕襯底的暴露的第一部分以在襯底中形成第一圖案，吸收層可用來在刻蝕襯底的第一部分期間提供第一刻蝕停；

在襯底被刻蝕的部分和吸收層的暴露的第一部分上沉積第二抗蝕劑層；

顯影在第二抗蝕劑層中的第二圖案以暴露吸收層的第二部分；

刻蝕吸收層的暴露的第二部分以暴露襯底的第二部分，襯底的第二部分包括襯底的第一部分；

刻蝕襯底的暴露的第二部分以在襯底中形成第二圖案，吸收層可用來在刻蝕襯底的第二部分期間提供第二刻蝕停；以及

除去吸收層和第二抗蝕劑層以形成多層SFIL模板。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中：

襯底的第一部分具有第一深度；并且

襯底的第二部分具有第二深度，第一深度比第二深度大大約兩倍。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中：

第一圖案對(duì)應(yīng)于雙波紋結(jié)構(gòu)中的金屬層；以及

第二圖案對(duì)應(yīng)于雙波紋結(jié)構(gòu)中的通路層。

18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述襯底包括選自包括石英、合成石英、熔融硅石、氟化鎂、氟化鈣的組的材料。

19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中吸收層包括選自包括鉻、氮化鉻、和銅的組的材料。

20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中吸收層包括金屬氧-碳-氮化物。