[發明專利]LUS半導體與應用電路

無效

• 申請號: 200680039891.5
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN101390280A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 盧昭正
• 申請（專利權）人: 盧昭正
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H03H3/00
• 代理公司: 深圳創友專利商標代理有限公司
• 代理人: 彭家恩

1.一種功率半導體器件，用于電路中的功率整流與電壓調節，所述 功率半導體器件包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管，其具有漏節點與 源節點；其特征在于，在制造過程期間在所述金屬氧化物半導體場效應晶 體管的漏節點與源節點之間形成特性電路，所述特性電路包括：

一對背對背或面對面串聯耦合的肖特基二極管，一對背對背或面對面 串聯耦合的靜電隔離二極管，一對背對背或面對面串聯耦合的齊納二極管， 一對背對背或面對面串聯耦合的肖特基二極管和齊納二極管，一對背對背 或面對面串聯耦合的肖特基二極管和靜電隔離二極管，以及一對背對背或 面對面串聯耦合的齊納二極管和靜電隔離二極管；所述背對背耦合是指P 型節點互連，所述面對面耦合是指N型節點互連；或者

交流二極管或雙向晶閘管；或者

P型節點與所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的所述漏節點耦合而 N型節點與所述源節點耦合的一個快速二極管，一個肖特基二極管或一個 齊納二極管。

2.一種功率半導體器件，用于電路中的功率整流與電壓調節，所述 功率半導體器件包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管，其具有漏節點與 源節點；其特征在于，在所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏節點與 源節點之間被外耦合特性電路，所述特性電路包括：

一對背對背或面對面串聯耦合的肖特基二極管，一對背對背或面對面 串聯耦合的靜電隔離二極管，一對背對背或面對面串聯耦合的齊納二極管， 一對背對背或面對面串聯耦合的肖特基二極管和齊納二極管，一對背對背 或面對面串聯耦合的肖特基二極管和靜電隔離二極管，以及一對背對背或 面對面串聯耦合的齊納二極管和靜電隔離二極管；所述背對背耦合是指P 型節點互連，所述面對面耦合是指N型節點互連；或者

交流二極管或雙向晶閘管；或者

P型節點與所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的所述漏節點耦合而 N型節點與所述源節點耦合的一個快速二極管，一個肖特基二極管或一個 齊納二極管。

3.一種整流電路，包括：

至少有一個前述任何一個權利要求所述的功率半導體器件；以及

一輔助電路與所述功率半導體器件耦合，從而由提供直流輸出電壓的 所述整流電路對電壓源進行半波或全波整流和調整。

4.根據權利要求3所述的整流電路，其特征在于，所述輔助電路向 所述功率半導體器件提供輔助電壓，從而使所述功率半導體器件在工作區 域被偏置。

5.根據權利要求4所述的整流電路，還包括：

由第一個二次繞組與第二個二次繞組組成的高頻變壓器；

其特征在于：

當交流電壓的正半周饋送至所述第一個二次繞組的第一個節點時，所 述交流電壓的正半周通過所述輔助電路，到達所述第一個二次繞組的第二 個節點，并施加在所述功率半導體器件上；以及

在所述第二個二次繞組兩端的電壓通過所述輔助電路提供所述輔助 電壓，且導通/截止所述功率半導體器件的漏節點和源節點。

6.根據權利要求3所述的整流電路，其特征在于，所述輔助電路包 括與所述功率半導體的輸出節點耦合的濾波電路，從而使所述整流電路傳 輸所述直流輸出電壓。

7.根據權利要求6所述的整流電路，其特征在于，所述濾波電路為π 型濾波器。