[發(fā)明專利]形成間距倍增接點的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680039419.1
• 申請日: 2006-08-28
• 公開（公告）號: CN101292327A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 盧安·C·特蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/768;H01L21/8239
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種形成電接點的方法，其包括：

提供由多層遮蔽材料覆蓋的絕緣層；

在所述遮蔽材料中產(chǎn)生一系列可選擇性界定的線，其中所述線具有第一圖案；

使用間隔物材料對所述線執(zhí)行間距減小以產(chǎn)生間距減小的遮蔽線，所述遮蔽線沿間隔物軸伸長，由間距減小的空間隔開；

在所述遮蔽元件的一部分之上施加第二光阻劑交叉圖案，所述交叉圖案具有窗口，所述窗口留下未由所述光阻劑覆蓋的間距減小的遮蔽線和鄰近的間距減小的空間的多個部分，所述窗口具有：

不平行于所述間距減小的遮蔽線的伸長軸的伸長軸；和

通過由所述間距減小的空間界定的第三圖案蝕刻所述絕緣層以在所述絕緣層中產(chǎn)生接觸通孔；

用導電材料填充所述接觸通孔以產(chǎn)生電接點。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在蝕刻所述絕緣層時還沒有移除所述間隔物材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在間距倍增之前修改所述可選擇性界定的線的所述第一圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在將所述第一圖案轉(zhuǎn)移到下伏層之后但在間距減小之前完成修改。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述下伏層包括非晶碳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在執(zhí)行間距減小之前將所述第三圖案轉(zhuǎn)移到包括碳的層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述第三圖案轉(zhuǎn)移到硬掩膜材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述硬掩膜材料為介電抗反射涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述硬掩膜材料為富含硅的氮氧化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述窗口具有沿伸長軸至少200納米的長度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電接點為在存儲器陣列中的位線接點。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電接點經(jīng)配置以用于NAND快閃存儲器。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在蝕刻所述絕緣層的過程中保持所述光阻劑與所述間距減小的遮蔽線重疊。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電接點具有小于70納米的臨界尺寸。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光阻劑為氟化氬敏感光阻劑。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光阻劑為氟化氪敏感光阻劑。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二光阻劑交叉圖案具有第一和第二窗口，其中每一窗口留下未由所述光阻劑覆蓋的間距減小的遮蔽線和鄰近的間距減小的空間的多個部分，所述窗口的每一者具有：

不平行于所述間距減小的遮蔽線的伸長軸的伸長軸，

在所述系列的伸長軸的尺寸上橫跨可選擇性界定的線的長度，

在所述間隔物軸尺寸上的寬度，所述寬度小于約200納米；

通過由所述間隔減小的空間界定的第三圖案和所述窗口來蝕刻所述絕緣層以在所述絕緣層中產(chǎn)生多系列接觸通孔，其中所述接觸通孔具有在所述間隔物軸的尺寸上小于約200納米的長度；以及

用導電材料來填充所述接觸通孔以產(chǎn)生多系列電接點，其中所述接點具有在所述間隔物軸的尺寸，小于約200納米的長度。

18.一種形成集成電路的伸長通孔的方法，所述方法包括：

在下伏層上沉積至少一層遮蔽材料；

使用常規(guī)光刻在遮蔽材料層中形成第一組線；

形成間距減小的間隔物線，其沿平行于所述第一組線的軸伸長，且所述間隔物線產(chǎn)生第一圖案；

使用常規(guī)光刻在覆蓋所述間距減小的線的層中形成第二圖案，所述第二圖案具有開口，所述開口沿平行于所述間距減小的線的伸長軸的軸具有第一寬度，所述第一寬度可不使用間距減小技術而界定；以及

經(jīng)由由所述兩個圖案的重疊界定的經(jīng)組合的圖案來蝕刻所述絕緣層，以在所述下伏層中產(chǎn)生接觸通孔。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中包括用金屬填充所述接觸通孔以產(chǎn)生存儲器陣列的接點的另外步驟。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第二圖案通過使用光刻形成。