[發明專利]形成在單個薄片上的半導體激光器諧振腔

有效

• 申請號: 200680039345.1
• 申請日: 2006-08-24
• 公開（公告）號: CN101553962A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: A·A·貝法;W·蘭斯
• 申請（專利權）人: 賓奧普迪克斯股份有限公司
• 主分類號: H01S3/105
• 分類號: H01S3/105;H01S5/00;H01S5/02;H01S5/30
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 劉 佳

1.一種半導體激光器裝置，包括：

基底；

在所述基底上的外延生長層結構；

長度為l_c的激光器諧振腔，所述激光器諧振腔在所述外延生長層內形成，所述 激光器諧振腔具有至少一個垂直于所述基底平面的刻蝕腔面表面；

長度為l_s的薄片，所述薄片通過分離所述基底形成且結合所述激光器諧振腔， l_s大于所述激光器諧振腔長度l_c；

所述薄片的從所述激光器諧振腔光束軸的中心到所述薄片的刻蝕頂部表面的 距離為h，從所述薄片的邊緣到所述刻蝕腔面的距離為a；

所述激光器諧振腔能夠產生具有半高寬垂直遠場角的激光器輸出光束；并且 其中，比例h/a等于或大于

tan(2ln2×θ2)]]>

，其中θ表示遠場角。

2.一種半導體激光器裝置，包括：

基底；

在所述基底上的外延生長層結構；

激光器諧振腔，所述激光器諧振腔具有在所述外延生長層結構內通過刻蝕制造 的腔面，所述腔面具有垂直于所述基底平面的表面；

在所述刻蝕腔前面的輔助臺面結構，所述輔助臺面結構的頂部離通過所述激光 器腔面的激光束軸線中心的距離為h；

薄片，所述薄片通過裝置分離所述基底形成且結合所述激光器諧振腔，所述薄 片中從所述輔助臺面結構的邊緣到薄片邊緣的距離為a_s，所述輔助臺面結構的邊緣 到所述刻蝕制造的腔面的距離為a；

所述輔助臺面結構高度為h_s；

所述激光器諧振腔可操作來產生具有半高寬垂直遠場角的從所述刻蝕腔面 發射的輸出光束；并且

其中，比例h/a等于或大于

tan(2ln2×θ2)]]>

并且

比例(h+h_s)/(a+a_s)大于或等于

tan(2ln2×θ2)]]>

，其中θ表示遠場角。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括通過刻蝕基本垂直于所述基 底平面的表面形成的第二激光器腔面。

4.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，還包括通過刻蝕基本垂直于所述基 底平面的表面形成的第二激光器腔面。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基底包含GaN。

6.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述基底包含GaN。