[發明專利]聚合物和組合物

有效

• 申請號: 200680039227.0
• 申請日: 2006-10-25
• 公開（公告）號: CN101291969A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 小西亨;前島晃;伊藤牧八
• 申請（專利權）人: 氰特表面技術有限公司
• 主分類號: C08G18/67
• 分類號: C08G18/67;C09D175/16;G03F7/027
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 龍傳紅

本發明涉及可通過光化輻射例如UV輻射和/或電子束固化的脲烷丙烯酸酯樹脂領域。?

脲烷丙烯酸酯便利地用來制備用作增韌劑、增塑劑和/或軟化劑的輻射可固化樹脂組合物。常常，此類脲烷丙烯酸酯包含異氰脲酸酯基。?

然而，大多數常規脲烷丙烯酸酯對在上述應用中的使用具有多種缺點，尤其是當用于蓋孔應用時更如此。?

在此使用的術語“蓋孔(tenting)”是指以下制備電路板的方法。在第一個步驟中，將光可固化樹脂(稱為光致抗蝕劑)的干膜施加到銅箔中的層壓板(clad)上。在第二個步驟中，經由待生產的電路的負像將固化(通常UV)輻射施加到該涂覆的層壓件上。由此僅在與所需電路對應的那些面積中固化了該光致抗蝕劑。接下來，顯影步驟，將該基材浸入顯影劑或蝕刻劑之中并且銅箔將在其不受經固化的光致抗蝕劑保護的位置被除去。在最后一個步驟中除去(剝離)光致抗蝕劑以暴露出在下面的銅電路。?

然而，如果光致抗蝕劑不具有足夠好的蓋孔性能，則銅箔不會被足夠地保護以免受顯影劑影響。在更糟的情況下，電路中將出現的破裂將使得該電路板不可用并且甚至所需圖案中的孔洞可能有其它不希望的影響(例如電路電性能的不希望的變化)。在蓋孔應用中，還合乎需要的是，光致抗蝕劑具有足夠的柔韌性以易于施加和使用以及提供改進的耐顯影性以保護電路圖像。這可以通過利用增韌劑、軟化劑和/或增塑劑和/或改進光致抗蝕劑的固有性能來實現。?

已知的脲烷丙烯酸酯的缺點包括以下的一些或全部。脲烷丙烯酸酯在聚合物組合物中產生浮渣和/或是過高結晶的。如果使用二官能化脲烷丙烯酸酯，則該組合物過軟，但是如果使用高度官能化的脲烷丙烯酸酯，則樹脂過脆。改性脲烷丙烯酸酯以解決這些問題可能導致聚?合物組合物損失實用的蓋孔強度。?

多種異氰脲酸酯基脲烷丙烯酸酯是已知的，例如下述的那些。?

JP?57-55914-A(Hitachi?Chem.)公開了用于焊接掩模和/或電鍍抗蝕劑的含脲烷丙烯酸酯的干膜光致抗蝕劑。然而，那些脲烷丙烯酸酯具有好的耐化學物質和/或熱性但是蓋孔強度差。?

JP?59-157112公開了采用聚己內酯變型的本文中的對比實施例(見下文)。?

JP?62-050315公開了PTMG基脲烷丙烯酸酯。?

JP?62-215618公開了得自多異氰酸酯/聚醚多元醇/丙烯酸一羥基烷基酯結合物與THEIC三(甲基)丙烯酸酯和單官能化(甲基)丙烯酸酯的脲烷丙烯酸酯。?

JP?62-290705公開了包括THEIC三(甲基)丙烯酸酯、PPG或PEG基脲烷(甲基)丙烯酸酯的阻焊制劑。?

JP?63-027518描述了PTMG/H12MDI基脲烷丙烯酸酯。?

JP?63-090525公開了得自多異氰酸酯/聚醚多元醇/丙烯酸一羥基烷基酯/HO-R¹-S-R²-OH的脲烷丙烯酸酯(其中R¹和R²表示烷基鏈)。?

JP?63-090526描述了得自多異氰酸酯/聚酯多元醇(M_w?600-4000)/二醇(M_w?60-200)/丙烯酸一羥基烷基酯的脲烷丙烯酸酯。以下結構是由TDI/聚酯多元醇(M_w?1000)/1，4-丁二醇或1，6-己二醇或3-甲基-1，6-戊二醇/HEA舉例的那些。?

JP?63-270719公開了PTMG基脲烷丙烯酸酯。?

JP?02-034620公開了(a)脲烷(甲基)丙烯酸酯(b)一和多官能不飽和化合物(c)氧化膦衍生物作為光引發劑。以下三類脲烷丙烯酸酯是僅有的舉例：(i)HEA/TDI/PTMG#1000/TDI/HEA(ii)HPA/HDI/PTMG#2000/HDI/HPA和(iii)HEA/TDI/PPG，PTMG共聚物#2000/TDI/HEA。?

JP?04-130119描述了與稍后在本申請中描述的對比實施例相似的材料。?

JP?04-306218描述了通過使HDI或HDI/IPDI和C_6-9脂族醇反應獲?得的具有異氰脲酸酯結構和脲基甲酸酯結構的多異氰酸酯混合物。在要求的結構內不存在輻射可固化官能團。JP?05-117348公開了高折射指數的TDI基脲烷丙烯酸酯。?

JP?05-273754-A(Sunopco)公開了具有耐化學物質和熱性的用于液態光可成像焊接掩模的異氰脲酸酯基脲烷丙烯酸酯。?