[發明專利]具有保護性外圍區的半導體管芯以及形成方法

無效

• 申請號: 200680038806.3
• 申請日: 2006-09-27
• 公開（公告）號: CN101501855A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 袁元;李巨鐘;圖-昂·N·德蘭;保羅·M·維內貝格爾
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L29/00
• 分類號: H01L29/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;黃啟行

1.一種用于集成電路的管芯，包括：

有源區；以及

位于所述管芯的外圍區中的、至少部分包圍所述有源區的第一環， 其中所述第一環包括多個多邊形單元。

2.如權利要求1所述的管芯，其中所述多個多邊形單元中的每一 個都具有金屬壁。

3.如權利要求2所述的管芯，其中所述多個多邊形單元中的每一 個在所述金屬壁內都具有電介質材料。

4.如權利要求3所述的管芯，其中所述電介質材料是低K電介質 材料。

5.如權利要求1所述的管芯，進一步包括至少部分包圍所述第一 環的第二環，其中所述第二環包括多個多邊形單元。

6.如權利要求2所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢和 金中的至少一種。

7.如權利要求1所述的管芯，其中所述多邊形單元中的每一個是 五邊形、六邊形和八邊形中的至少一種。

8.如權利要求1所述的管芯，進一步包括襯底，并且其中所述多 個多邊形單元延伸至襯底。

9.一種用于集成電路的管芯，包括：

有源區；

位于所述管芯的外圍區中的、至少部分包圍所述有源區的第一環， 其中所述第一環包括多個多邊形單元；以及

至少部分包圍所述第一環的第二環，其中所述第二環包括多個多 邊形單元。

10.如權利要求9所述的管芯，其中所述多個多邊形單元中的每 一個都具有金屬壁。

11.如權利要求10所述的管芯，其中所述多個多邊形單元中的每 一個在所述金屬壁內都具有電介質材料。

12.如權利要求11所述的管芯，其中所述電介質材料是低K電介 質材料。

13.如權利要求10所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢 和金中的至少一種。

14.如權利要求9所述的管芯，其中所述多邊形單元中的每一個 是五邊形、六邊形和八邊形中的至少一種。

15.一種用于集成電路的管芯，包括：

有源區；

位于所述管芯的外圍區中的、至少部分包圍所述有源區的第一環， 其中所述第一環包括多個圓形單元。

16.如權利要求15所述的管芯，其中所述多個圓形單元中的每一 個都具有金屬壁。

17.如權利要求16所述的管芯，其中所述多個圓形單元中的每一 個在所述金屬壁內都具有電介質材料。

18.如權利要求17所述的管芯，其中所述電介質材料是低K電介 質材料。

19.如權利要求15所述的管芯，進一步包括至少部分包圍所述第 一環的第二環，其中所述第二環包括多個圓形單元。

20.如權利要求16所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢 和金中的至少一種。

21.一種形成用于集成電路的管芯的方法，包括：

提供有源區；以及

提供位于所述管芯的外圍區中的、至少部分包圍所述有源區的第 一環，其中所述第一環包括多個多邊形單元和多個圓形單元中的至少 一個。