[發明專利]防污材料及其制備方法

有效

• 申請號: 200680038775.1
• 申請日: 2006-10-20
• 公開（公告）號: CN101291887A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: B·吉姆;G·扎格多恩;E·桑德加德;R·加雷克;E·羅耶;A·卡申科;A·勒拉格;E·巴塞爾
• 申請（專利權）人: 法國圣戈班玻璃廠
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C17/23
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張軼東;段家榮

1.材料在沒有水沖刷的情況下防止無機污物在外表面上沉積中的用途，其中該材料由基材組成，所述基材裝備有基于氧化鈦的涂層，在該涂層上設置有形成所述材料外表面的至少一部分的薄親水層，并且所述親水層不是由氧化鈦所組成的。?

2.如權利要求1中所述的用途，其中薄親水層具有小于10nm的厚度。?

3.如權利要求1或2中所述的用途，其中薄親水層具有在1到2nm之間的厚度。?

4.如權利要求1或2所述的用途，其中在環境濕度的存在下并且由于下面存在氧化鈦的原因，薄親水層能夠產生密度低于液態水的水化層。?

5.如前述權利要求1或2所述的用途，其中薄親水層是以硅和氧為基礎的。?

6.如權利要求5所述的用途，其中薄親水層由二氧化硅SiO₂所組成，任選地摻雜有鋁或鋯原子。?

7.如前述權利要求1或2所述的用途，其中基于氧化鈦的涂層是僅僅由氧化鈦所組成的，所述氧化鈦是無定形的或者具有至少部分結晶的結構。?

8.如權利要求1或2所述的用途，其中基于氧化鈦的涂層包含至少部分結晶并且分散在粘合劑中的可分辨的氧化鈦顆粒。?

9.如前一項權利要求8所述的用途，其中薄親水層是基于氧化鈦的涂層的整體的一部分，并且構成了它的最外層表面。?

10.如權利要求1或2所述的用途，其中基于氧化鈦的涂層和薄親水層形成了一個包含氧化鈦和氧化硅的層，氧化鈦在所述外表面上的含量不為零，并且氧化硅在外表面上的含量比在層的中心處的高。?

11.如前述權利要求1或2所述的用途，其中直接在基于氧化鈦的涂層下面設置堿金屬屏障底層。?

12.一種由基材組成的材料，所述基材裝備有至少一個層，該層的表面形成了所述材料外表面的至少一部分，所述層包含氧化鈦和氧化硅，其特征在于氧化鈦在所述外表面上的含量不為零，并且氧化硅的含量在外表面上比在層的中心處的高，其中直接在包含氧化鈦和氧?化硅的層之下設置堿金屬屏障底層，堿金屬屏障底層是SiOC層，所述SiOC底層在其表面上具有規則間隔的突起。?

13.如前一項權利要求12所述的材料，其中氧化硅的含量在層的厚度方向上從層的中心直到層的外表面連續地增加。?

14.如權利要求12或13所述的材料，其中層的厚度在3到30nm之間。?

15.如權利要求12或13所述的材料，其中在最接近基材的層的部分中氧化硅的含量不為零。?

16.如前一項權利要求12或13所述的材料，其中堿金屬屏障底層通過CVD直接沉積到基材上。?

17.如前一項權利要求12或13所述的材料，其中所述突起在底部具有60到120nm的寬度和20到50nm的高度。?

18.一種獲得由基材組成的材料的方法，所述基材裝備有至少一個包含氧化鈦和氧化硅的層，其中所述層是通過化學氣相沉積CVD沉積到沿著軸向運動的所述基材上的，使用相對于所述基材運動軸橫向伸展的并且具有單縫的噴嘴進行所述沉積，將沒有互相作用的氧化鈦和氧化硅的氣態前體通過所述單縫同時注射，并且其中至少一種氧化鈦前體的分解溫度固有地或非固有地明顯低于至少一種氧化硅前體的分解溫度，從而形成一個層，其中氧化硅的含量在層的厚度方向上連續地增加。?

19.如項權利要求18所述的方法，其中注射單一的氧化鈦前體和單一的氧化硅前體。?

20.如項權利要求19所述的方法，其中氧化鈦和氧化硅前體各自的分解溫度之間的差異為至少50℃。?

21.如項權利要求20所述的方法，其中氧化硅和氧化鈦的前體分別是四乙氧基硅烷TEOS和鈦酸四異丙酯。?

22.如前述方法權利要求18-21中任一項所述的方法，其中由在氣相中存在的所引入的Ti和Si原子摩爾量計算得到的Ti/(Ti+Si)摩爾比在0.85到0.96之間。?