[發(fā)明專利]紅色像素上方具有電容器的固態(tài)成像器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680038752.0 | 申請(qǐng)日: | 2006-08-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101292358A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杰弗里·A·麥基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王允方 |
| 地址: | 美國(guó)愛*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紅色 像素 上方 具有 電容器 固態(tài) 成像 | ||
1.一種像素陣列,其包含:
具有光轉(zhuǎn)換區(qū)的至少第一和第二像素,其中所述第一像素為紅色像素;和
共同電耦合到所述第一和第二像素的電容器,所述電容器設(shè)置在所述第一像素上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列,其中所述電容器設(shè)置在所述第一像素的所述光轉(zhuǎn)換區(qū)上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素陣列,其中所述第二像素為藍(lán)色或綠色像素。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素陣列,其進(jìn)一步包含耦合到所述第一和第二像素的共用浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū),所述電容器電耦合到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列,其中所述光轉(zhuǎn)換區(qū)為光電二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素陣列,其中所述第一像素在所述像素陣列的第一行中,所述第二像素在所述像素陣列的第二行中,所述第一行在所述第二行上方。
7.一種像素陣列,其包含:
第一和第二像素,其包含:
具有晶體管區(qū)和光轉(zhuǎn)換區(qū)的襯底;
形成在所述光轉(zhuǎn)換區(qū)中的第一光轉(zhuǎn)換裝置,所述第一光轉(zhuǎn)換裝置與所述第一像素相關(guān)聯(lián)且對(duì)紅光敏感;
形成在所述光轉(zhuǎn)換區(qū)中的第二光轉(zhuǎn)換裝置,所述第二光轉(zhuǎn)換裝置與所述第二像素相關(guān)聯(lián)且對(duì)藍(lán)光或綠光敏感;和
設(shè)置在所述第一像素的所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)上方且電耦合到其的存儲(chǔ)裝置,所述第二像素電耦合到所述存儲(chǔ)裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列,其中所述存儲(chǔ)裝置電耦合到第三和第四光轉(zhuǎn)換裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素陣列,其中所述第三和第四光轉(zhuǎn)換裝置對(duì)藍(lán)光或綠光敏感。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素陣列,其進(jìn)一步包含電耦合到所述第一和第二像素的共用浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū),所述存儲(chǔ)裝置耦合到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
11.一種形成像素陣列的方法,所述方法包含以下步驟:
在襯底上方形成第一和第二光轉(zhuǎn)換區(qū),其中所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)對(duì)紅光敏感;
形成設(shè)置在所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)上方的電容器;和
形成所述光轉(zhuǎn)換區(qū)與所述電容器之間的電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其進(jìn)一步包含在所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)上方形成所述電容器的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述第二光轉(zhuǎn)換區(qū)對(duì)藍(lán)光或綠光敏感。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述形成所述電容器的步驟進(jìn)一步包含在所述襯底上方形成柵極氧化物層的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其進(jìn)一步包含在所述襯底上方形成第一和第二轉(zhuǎn)移晶體管的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述形成所述第一和第二轉(zhuǎn)移晶體管的步驟進(jìn)一步包含在所述襯底上方形成柵極氧化物層的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述電容器的所述柵極氧化物層比所述轉(zhuǎn)移晶體管的所述柵極氧化物厚。
18.一種集成電路,其包含:
像素陣列,其包含:
具有光轉(zhuǎn)換區(qū)的至少第一和第二像素,其中所述第一像素為紅色像素;和
共同電耦合到所述第一和第二像素的電容器,其中所述電容器設(shè)置在所述第一像素上方。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路,其中所述電容器設(shè)置在所述第一像素的所述光轉(zhuǎn)換區(qū)上方。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路,其中所述第二像素為藍(lán)色或綠色像素。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的集成電路,其進(jìn)一步包含耦合到所述第一和第二像素的共用浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū),所述電容器電耦合到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路,其中所述光轉(zhuǎn)換區(qū)為光電二極管。
23.一種成像系統(tǒng),其包含:
像素陣列,其包含:
具有光轉(zhuǎn)換區(qū)的至少第一和第二像素,其中所述第一像素為紅色像素;和
共同電耦合到所述第一和第二像素的電容器,所述電容器設(shè)置在所述第一像素上方。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





