[發(fā)明專(zhuān)利]用于對(duì)調(diào)制電磁波場(chǎng)進(jìn)行解調(diào)的器件和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680038672.5
• 申請(qǐng)日: 2006-10-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101310387A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·布特根
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美薩影像股份公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 錢(qián)慰民

1.一種在半導(dǎo)體襯底(SUB1、SUB10)中適于檢測(cè)和解調(diào)入射調(diào)制電磁波場(chǎng)的像素器件，包括：

-檢測(cè)裝置(2)，用于將所述入射調(diào)制電磁波場(chǎng)轉(zhuǎn)換成流動(dòng)電荷的電信號(hào)，

-采樣裝置(LG、MG、RG、IG1、DG1、IG2、DG2；GS、DG10、IG10、DG20、IG20)，用于在調(diào)制周期中以至少兩個(gè)不同時(shí)間間隔對(duì)所述流動(dòng)電荷的電信號(hào)進(jìn)行采樣，以及

-由所述采樣裝置采樣的電信號(hào)的至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)(D1、D2；S1、S2)，

其特征在于，

所述像素器件還包括

-解調(diào)裝置(4)，包括所述至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)和所述采樣裝置，所述采樣裝置具有第二傳遞裝置(LG、MG、RG；GS)，以及

-接觸節(jié)點(diǎn)(K2)，排列在所述檢測(cè)裝置與所述解調(diào)裝置之間，

所述檢測(cè)裝置(2)包括第一傳遞裝置(GM1；GM1.i；FGi；FDi；VGi)，

所述第一傳遞裝置適于將所述流動(dòng)電荷的電信號(hào)傳遞到所述接觸節(jié)點(diǎn)，而所述第二傳遞裝置適于在所述至少兩個(gè)不同時(shí)間間隔的每一個(gè)期間，將所述流動(dòng)電荷的電信號(hào)從所述接觸節(jié)點(diǎn)傳遞到分配給相應(yīng)時(shí)間間隔的所述至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述解調(diào)裝置的尺寸小于所述檢測(cè)裝置的尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述檢測(cè)裝置是光敏的。

4.如權(quán)利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第一傳遞裝置包括適于定義靜態(tài)漂移場(chǎng)的柵極結(jié)構(gòu)(GM1；GM1.i)，其中所述靜態(tài)漂移場(chǎng)能夠?qū)⑺隽鲃?dòng)電荷的電信號(hào)傳遞到所述接觸節(jié)點(diǎn)(K2)。

5.如權(quán)利要求4所述的像素器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)(GM1；GM1.i)包括與所述半導(dǎo)體襯底(SUB?1)隔離的電阻性電極層以及用于沿所述電極層施加電勢(shì)差的至少兩個(gè)連接(K1、K2)。

6.如權(quán)利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述電極層具有樹(shù)枝狀的形狀。

7.如權(quán)利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述電極層的形狀或互補(bǔ)形狀較佳地為豎琴狀、梳狀、樹(shù)狀、蛇形、冰晶狀，或者是打孔的平面。

8.如權(quán)利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述電極層包括材料(31)，所述材料(31)包括一個(gè)或多個(gè)具有不同薄層電阻的材料。

9.如權(quán)利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第一傳遞裝置包括至少一個(gè)浮動(dòng)區(qū)域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)和至少兩個(gè)接觸區(qū)域(FG1、FGn；FD1、FDn)，所述接觸區(qū)域設(shè)有用于向所述至少兩個(gè)接觸區(qū)域施加電勢(shì)差的電觸點(diǎn)(K1、K2)，所述接觸區(qū)域(FG1、FGn；FD1、FDn)與所述至少一個(gè)浮動(dòng)區(qū)域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)電絕緣，但卻電耦合到所述至少一個(gè)浮動(dòng)區(qū)域中的至少一個(gè)。

10.如權(quán)利要求9所述的像素器件，其特征在于，所述第一傳遞裝置包括多個(gè)浮動(dòng)區(qū)域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)的安排，所述安排使得相鄰浮動(dòng)區(qū)域彼此電絕緣，卻彼此電耦合。

11.如權(quán)利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第二傳遞裝置包括適于在所述至少兩個(gè)不同時(shí)間間隔的每一個(gè)期間，定義從所述接觸節(jié)點(diǎn)到分配給所述相應(yīng)時(shí)間間隔的所述至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)的傳導(dǎo)通道的柵極電極(LG，MG，RG)。

12.如權(quán)利要求11所述的像素器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)的電阻性電極層是CCD柵極電極。

13.如權(quán)利要求1中任一項(xiàng)的像素器件，其特征在于，所述第二傳遞裝置包括具有至少兩個(gè)觸點(diǎn)的柵極電阻層(GS)，以便在所述至少兩個(gè)不同時(shí)間間隔的每一個(gè)期間定義從所述觸點(diǎn)節(jié)點(diǎn)到分配給所述相應(yīng)時(shí)間間隔的所述至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)的漂移場(chǎng)，每個(gè)所述觸點(diǎn)定位在所述至少兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)的每一個(gè)附近。

14.如權(quán)利要求13所述的像素器件，其特征在于，所述柵極電阻層具有樹(shù)枝狀的形狀。

15.如權(quán)利要求13所述的像素器件，其特征在于，所述柵極電阻層的形狀或互補(bǔ)形狀較佳地為豎琴狀、梳狀、樹(shù)狀、蛇形、冰晶狀，或者是打孔的平面。