[發明專利]具有減小的線條邊緣粗糙度的蝕刻特征

無效

• 申請號: 200680038623.1
• 申請日: 2006-08-01
• 公開（公告）號: CN101292197A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: S·M·列扎·薩賈迪;埃里克·A·赫德森
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種用于在層中形成具有減小的線條邊緣粗化的特征的方法，

其包括：

在該層上形成光刻膠層；

圖案化該光刻膠層，以形成具有光刻膠側壁的光刻膠特征；

在該光刻膠特征側壁上形成厚度小于100nm的側壁層，其包括執行多個循環，其中每個循環包括在該光刻膠層上沉積層，其中該沉積層的厚度在單層到20nm之間；

穿過該光刻膠特征將特征蝕刻入該層；以及

剝除該光刻膠層和側壁層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成該側壁層的每個循環進一步包括回蝕該沉積層，以去除該沉積層在該光刻膠特征底部上形成的部分，而留下側壁層。

3.根據權利要求1-2中任一項所述的方法，其中在該光刻膠層上沉積該層，包括執行原子層沉積、化學氣相沉積、濺射沉積、等離子沉積以及等離子增強化學氣相沉積中的至少一種，并利用小于120伏特的偏置電位。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，進一步包括在該光刻膠層上沉積該層過程中，加熱該基片到-80℃至120℃之間的溫度。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中在該側壁上沉積該側壁層執行3到10個循環。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，在該光刻膠層上沉積該層包括沉積聚合物、TEOS、SiO₂、Si₃N₂、SiC、Si、Al₂O₃、AlN、Cu、HfO₂、Mo、Ta、TaN、TaO₂、Ti、TiN、TiO₂、TiSiN和W中的至少一種所構成的層。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，進一步包括執行突破蝕刻，以蝕刻穿過任何剩余的沉積層。

8.根據權利要求2-7中任一項所述的方法，其中在該光刻膠層上沉積該層、該回蝕、該突破以及蝕刻特征在單一等離子室內原地完成。

9.根據權利要求2-8中任一項所述的方法，其中該回蝕進一步去除該沉積層在該光刻膠層的頂部上的部分。

一種由根據權利要求1-9中任一項所述的方法形成的半導體器件。

一種用于在蝕刻層中形成具有減小的線條邊緣粗化的特征的方法，包括：

形成圖案化光刻膠層以覆蓋該蝕刻層，從而形成具有光刻膠側壁的光刻膠特征；

在該光刻膠特征側壁上形成厚度小于100nm的側壁層，其包括執行多個循環，其中每個循環包括：

在該光刻膠層上沉積層，其中該沉積層的厚度在單層到20nm之間；以及

回蝕該沉積層，以去除該沉積層形成在該光刻膠特征底部上的部分，而留下側壁層；

穿過該光刻膠特征將特征蝕刻入該蝕刻層；以及

剝除該光刻膠層和側壁層，其中在該光刻膠層上沉積該層、該回蝕、該蝕刻特征以及剝除在單一等離子室內原地完成。

10.根據權利要求11所述的方法，其中在該光刻膠層上沉積該層，包括執行原子層沉積、化學氣相沉積、濺射沉積、等離子沉積以及等離子增強化學氣相沉積中的至少一種，并利用小于120伏特的偏置電位。

11.根據權利要求11-12中任一項所述的方法，進一步包括在該光刻膠層上沉積該層過程中，加熱該基片至80℃到120℃之間的溫度。

12.根據權利要求11-13中任一項所述的方法，其中在該側壁上沉積該側壁層執行3到10個循環。

13.根據權利要求11-14中任一項所述的方法，其中在該光刻膠層上沉積該層包括沉積聚合物、TEOS、SiO₂、Si₃N₂、SiC、Si、Al₂O₃、AlN、Cu、HfO₂、Mo、Ta、TaN、TaO₂、Ti、TiN、TiO₂、TiSiN以及W中的至少一種組成的層。

14.一種由根據權利要求11-15中任一項所述的方法形成的半導體器件。