[發明專利]分子量子存儲器

有效

• 申請號: 200680038600.0
• 申請日: 2006-11-20
• 公開（公告）號: CN101292291A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: E·C·漢娜
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11B9/00
• 分類號: G11B9/00;G11C13/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種用于實現分子量子存儲器的設備，所述設備包括：

極化電子電流源；

極化相反的電子電流源；

包括第一探針端部和第二探針端部的探針組件，其中將所述第一探針 端部和所述第二探針端部配置成選擇性地電耦合到分子；以及

耦合到所述第一探針端部的開關機構，用于通過選擇性地將所述極化 電子電流源或所述極化相反的電子電流源耦合到所述第一探針端部而將時 變極化電子電流施加給所述第一探針端部。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述分子為單分子磁體(SMM)。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一探針端部能夠向所述分 子傳送時變極化電子電流。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述第二探針端部可操作用于從 所述分子傳送時變電子電流。

5.根據權利要求1所述的設備，還包括：

耦合到所述探針組件并至少能夠傳送極化電子電流的第一電流濾波 器；以及

耦合到所述探針組件并至少能夠傳送極化相反的電子電流的第二電流 濾波器。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一電流濾波器和所述第二 電流濾波器包括半金屬電子源。

7.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一探針端部和所述第二探 針端部通過電子電流隧穿電耦合到所述分子。

8.根據權利要求1所述的設備，其中所述極化電子電流源和所述極化 相反的電子電流源包括半金屬電子源。

9.一種用于實現分子量子存儲器的設備，所述設備包括：

包括第一探針端部和第二探針端部的探針組件，所述第一探針端部和 所述第二探針端部電耦合到分子；

設置在所述第一探針端部上的極化電子電流的發射器；

設置在所述第二探針端部上的極化相反的電子電流的發射器；以及

耦合到所述第一探針端部的機構，用于通過選擇性地將所述極化電子 電流的發射器或所述極化相反的電子電流的發射器耦合到所述分子而將時 變極化電子電流施加給所述第一探針端部。

10.根據權利要求9所述的設備，其中所述分子為單分子磁體(SMM)。

11.根據權利要求9所述的設備，其中所述第一探針端部能夠向所述 分子傳送極化電子電流。

12.根據權利要求9所述的設備，其中所述第一探針端部和所述第二 探針端部通過電子電流隧穿電耦合到所述分子。

13.根據權利要求9所述的設備，其中所述極化電子電流的發射器和 所述極化相反的電子電流的發射器包括半金屬材料。

14.根據權利要求9所述的設備，其中所述機構包括控制邏輯，所述 控制邏輯能夠選擇性地將所述極化電子電流的發射器或所述極化相反的電 子電流的發射器耦合到所述分子。

15.一種用于實現分子量子存儲器的系統，所述系統包括：

襯底，其上設置有分子陣列；

具有第一探針端部和第二探針端部的探針組件，所述探針組件能夠相 對于所述分子陣列來定位，從而選擇性地將所述第一探針端部和所述第二 探針端部電耦合到所述分子陣列的個體分子；

極化電子電流源；

極化相反的電子電流源；

開關機構，用于通過選擇性地將所述極化電子電流源或所述極化相反 的電子電流源耦合到所述第一探針端部而將時變極化電子電流施加給所述 第一探針端部；以及

控制邏輯，用于操作所述開關機構以向所述第一探針端部傳送所述時 變極化電子電流。

16.根據權利要求15所述的系統，其中所述分子包括單分子磁體 (SMM)。

17.根據權利要求15所述的系統，其中所述極化電子電流源和所述極 化相反的電子電流源包括半金屬材料。